[发明专利]一种真空反应室内温度控制装置

说明书

本发明涉及一种真空反应室内温度控制装置，包含底座、加热组件和载台；所述底座设置在真空反应室内，且顶部设置有凹槽；所述加热组件设置在凹槽内，包括设置在凹槽底部的陶瓷板、设置在陶瓷板顶部的导电件、至少一个设置在导电件上的远红外灯泡；所述载台设置在底座顶部，且覆盖凹槽；所述载台采用半导体制冷片制成；本发明不仅能通过远红外灯泡对载台进行加温，且通过将载台采用半导体制冷片制成，能进行降温，从而实现对晶圆温度的精确控温。

技术领域

本发明涉及真空温度控制技术领域，特指一种真空反应室内温度控制装置。

背景技术

在晶圆加工领域，比如CVD,PVD镀膜或者干法蚀刻工艺，需要先对晶圆加热到一定的温度后才能进行下一步膜的沉积或者材料的刻蚀。

传统的方法是在晶圆载台里埋入设计好一定形状的加热棒或者加热盘，先把热量传递给载台，然后加温晶圆。加热棒由外部温控器控制其是否加热。由于整个加热过程都是在真空里进行的，热的传递只剩下加热棒和载台、载台和晶圆之间的接触式热传导占主导地位，热辐射作用微乎其微。由于没有降温的手段，此种温控方法有两个突出的问题：1、降温时主要靠热辐射带走热量，降温效果慢，无法快速降温，特别是检修时要把温度从工作温度降到室温需要数个小时甚至更长；2、没有降温的途径，致使不能对温度做精确的控温。

发明内容

本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种真空反应室内温度控制装置。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种真空反应室内温度控制装置，包含底座、加热组件和载台；

所述底座设置在真空反应室内，且顶部设置有凹槽；

所述加热组件设置在凹槽内，包括设置在凹槽底部的陶瓷板、设置在陶瓷板顶部的导电件、至少一个设置在导电件上的远红外灯泡；

所述载台设置在底座顶部，且覆盖凹槽；所述载台采用半导体制冷片制成。

优选的，所述底座的底部分别设置有与凹槽连通的进气孔和出气孔；所述陶瓷板上分别设置有两个与进气孔和出气孔位置对应的第一通孔。

优选的，所述底座的底部分别设置有与凹槽连通的零线孔和火线孔；所述陶瓷板上分别设置有两个与零线孔和火线孔位置对应的第二通孔。

优选的，所述底座包括连接部、设置在连接部顶部的支撑台；所述支撑台的直径大于连接部的直径；所述凹槽设置在支撑台内。

优选的，所述连接部包括与真空反应室连接且与支撑台平行放置的连接台、至少三根用于连接支撑台和连接台的连接柱；所述进气孔、出气孔、零线孔和火线孔均穿过连接柱与凹槽连通。

优选的，所述底座的顶部在凹槽外设置有耐高温的金属密封圈。

优选的，所述载台通过多颗圆周均匀分布的螺栓固定在底座顶部。

优选的，所述导电件包括相对放置的零线导电铜块和火线导电铜块；所述零线导电铜块和火线导电铜块上均设置有接线孔。

优选的，所述陶瓷板的顶部分别设置有与零线导电铜块和火线导电铜块形状对应的定位槽。

优选的，所述远红外灯泡呈长条状，且设置有多个，并且两端分别均匀设置在零线导电铜块和火线导电铜块上。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

本发明不仅能通过远红外灯泡对载台进行加温，且通过将载台采用半导体制冷片制成，能进行降温，从而实现对晶圆温度的精确控温。

附图说明

下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：

附图1为本发明所述的真空反应室内温度控制装置的结构示意图；