[发明专利]触控显示面板和移动终端在审
申请号: | 202210192828.6 | 申请日: | 2022-03-01 |
公开(公告)号: | CN114637420A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 马亮;戴超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 移动 终端 | ||
本申请提供一种触控显示面板及移动终端,该触控显示面板包括位于显示区内的触控金属层、以及位于非显示区内的触控控制电路;触控显示面板包括:基底;触控控制电路包括设置于基底上的第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管包括层叠设置于基底上的第一半导体层、第一栅极、第一源极以及第一漏极;本申请通过在触控控制电路的第一薄膜晶体管与基底之间的设置第一屏蔽层,第一屏蔽层在基底上的正投影至少部分与第一薄膜晶体管在基底上的正投影重叠,且第一屏蔽层被配置的数据电压小于第一源极被配置的数据电压,从而增大了第一薄膜晶体管的工作电流,降低第一薄膜晶体管的负载,进而提高触控显示面板的触控性能。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种触控显示面板和移动终端。
背景技术
当前随着显示技术的发展,外嵌式(On-Cell)触控成为当今现实面板发展的主要形式,外嵌式(On-Cell)包括自容式触摸技术(S-DOT)和互容式触摸技术(M-DOT)两种形式;其中,互容式触控结构由于结构简单,触控信号线较少,因此成为中小尺寸显示器中触控技术的主要形式,然而,由于其电阻电容负载(RCloading)较大,感应量较低,导致其应用在中大尺寸显示器中存在诸多困难。
自容式触控结构只有单层金属触控电极,工艺简单,且其具有触控感应量较大等优点,使其在中大尺寸上应用可行性极高,逐渐成为各大厂商开发的热点;然而,自容式触控结构由于每个触控电极需要单独触控信号线引出,引线通道数较多,因此需要引入多路复用电路结构来减少绑定端子的数量,但在引入多路复用电路结构后,会增加触控结构额外的阻抗,进而会导致触控信号减弱,影响了触控屏幕的触控性能。
发明内容
本申请实施例提供一种触控显示面板及移动终端,用以提升所述触控显示面板的触控性能。
为实现上述功能,本申请实施例提供的技术方案如下:
本申请实施例提供了一种触控显示面板,包括沿第一方向并列设置的显示区和非显示区,所述触控显示面板包括位于所述显示区内的触控金属层、以及位于所述非显示区内的触控控制电路;
所述触控显示面板包括:
基底:
所述触控控制电路包括设置于所述基底上的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括层叠设置于所述基底上的第一半导体层、第一栅极、第一源极以及第一漏极;
其中,所述触控显示面板还包括位于所述基底和所述第一薄膜晶体管之间的第一屏蔽层,所述第一屏蔽层在所述基底上的正投影至少部分与所述第一薄膜晶体管在所述基底上的正投影重叠,且所述第一屏蔽层被配置的数据电压小于所述第一源极被配置的数据电压。
在本申请实施例所提供的触控显示面板中,所述触控显示面板包括位于所述基底上的薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括间隔设置的所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管层位于所述显示区内;
所述第二薄膜晶体管包括层叠设置于所述基底上的第二半导体层、第二栅极、第三栅极、第二源极以及第二漏极;
其中,所述触控显示面板还包括位于所述基底和所述第二薄膜晶体管之间的第二屏蔽层,所述第二屏蔽层在所述基底上的正投影至少部分与所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影重叠,且所述第二屏蔽层被配置的数据电压小于所述第二源极被配置的数据电压。
在本申请实施例所提供的触控显示面板中,所述薄膜晶体管层包括一屏蔽金属层,所述屏蔽金属层包括所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层。
在本申请实施例所提供的触控显示面板中,所述第一屏蔽层与所述第一半导体层之间绝缘设置、所述第二屏蔽层与所述第二半导体层绝缘设置,其中,所述第一屏蔽层在所述基底上的正投影覆盖所述第一半导体层在所述基底上的正投影,所述第二屏蔽层在所述基底上的正投影覆盖所述第二半导体层在所述基底上的正投影。
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