[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202210192751.2 | 申请日: | 2022-03-01 |
公开(公告)号: | CN114639708A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 冯华均 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,显示面板包括:平坦层,其一侧表面设有若干第一开孔;阳极,设于所述平坦层上且覆盖所述第一开孔的内表面;挡墙,设于所述平坦层上且覆盖所述阳极;电致发光层,设于所述挡墙远离所述平坦层的一侧表面,且部分贯穿所述挡墙并连接至所述阳极;辅助阴极,设于所述挡墙远离所述平坦层的一侧表面且裸露于所述电致发光层外;阴极,设于所述电致发光层远离所述挡墙的一侧表面,且与所述辅助阴极连接。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
在对现有技术的研究和实践过程中,本申请的发明人发现,顶发射器件的阴极通常使用薄金属材料,但薄金属材料制备形成的阴极电阻较大,在使用过程中容易出现相对高的电压降,从而导致显示特性不均匀。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,可以解决现有技术阴极压降过高的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:平坦层,其一侧表面设有若干第一开孔;阳极,设于所述平坦层上且覆盖所述第一开孔的内表面;挡墙,设于所述平坦层上且覆盖所述阳极;电致发光层,设于所述挡墙远离所述平坦层的一侧表面,且部分贯穿所述挡墙并连接至所述阳极;辅助阴极,设于所述挡墙远离所述平坦层的一侧表面且裸露于所述电致发光层外;阴极,设于所述电致发光层远离所述挡墙的一侧表面,且与所述辅助阴极连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,显示面板还包括基板;薄膜晶体管层,设于所述基板的一侧表面;像素电极,设于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧表面,所述平坦层设于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧表面,且所述第一开孔对应所述像素电极,所述阳极与所述像素电极连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述挡墙远离所述平坦层的一侧设有第三开孔,所述辅助阴极覆盖所述第三开孔的内表面。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述辅助阴极材料为铜、银、金中的至少一种。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述辅助阴极在所述基板上的投影图案为若干平行分布的条状结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述辅助阴极位于相邻两个第一开孔之间。
相应的,本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法,包括以下制备步骤:
制备一层平坦层,在所述平坦层上刻蚀若干第一开孔;
在所述平坦层上制备一层阳极,所述阳极覆盖所述第一开孔的内表面;
在所述阳极上制备一层挡墙,在挡墙上刻蚀若干第二开孔和第三开孔,所述阳极部分裸露于所述第二开孔的底部;
在所述挡墙上制备辅助阴极,所述辅助阴极覆盖于所述第三开孔的内表面且部分延伸至所述第三开孔外;
在所述挡墙上制备电致发光层,所述电致发光层覆盖所述辅助阴极以及所述第二开孔的内表面;
在所述电致发光层上制备一层阴极;
在所述阴极和所述辅助阴极上分别施加第一电压和第二电压直至所述辅助阴极和所述阴极连接,所述第一电压和所述第二电压之间具有电压差。
可选的,在本申请的一些实施例中,采用气相沉积法制备所述辅助阴极。
所述电压差为5V~20V。
相应的,本申请实施例还提供一种显示装置,包括上述显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的