[发明专利]一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202210185094.9 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114678272A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张波;丁华俊;薛忠营;魏星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 谢文凯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nige ge 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
1.一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法，包括：
(1)将Ge片作为衬底，预处理；
(2)在步骤(1)中预处理的Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；
(3)光刻后依次蒸镀Al和Ni，Al的厚度为0.8～1.1nm，Ni的厚度为8～12nm，然后去除不在图形内的金属；
(4)去除不在图形内的金属后退火，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中Ge片为：电阻率为0.05-0.25Ωcm的n型(110)的Ge片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中预处理为：使用循环稀释的的HF清洗Ge片，去除表面原生氧化层，其中HF浓度为0.5～1.5％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中隔离层为SiO2，SiO2厚度为90～110nm；长隔离层采用的方法为离子增强化学气相淀积。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中光刻为：用CF4气体刻蚀暴露的隔离层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中蒸镀Al和Ni是采用电子束蒸发；去除不在图形内的金属是采用lift-off工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中退火的工艺参数为：以N2为气氛，在300℃-600℃下退火25～35s。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中去除多余的Ni是采用稀盐酸；蒸镀采用电子束蒸发；正反电极为Al，Al的厚度为110～120nm。
9.一种如权利要求1所述方法制备得到的Ni/Al/n-Ge肖特基二极管。
10.一种如权利要求1所述方法制备得到的Ni/Al/n-Ge肖特基二极管在开关电源、变频器或驱动器中的应用。
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