[发明专利]倒装LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：

在生长衬底上进行第一次外延生长，形成第一外延结构，所述第一外延结构包括位于生长衬底上依次堆叠的第二限制层、发光层、第一限制层及第一半导体层；

经由键合层将所述第一半导体层与透明衬底键合；

去除所述生长衬底，并在所述第二限制层上进行第二次外延生长，形成第二半导体层，所述第一半导体层、所述发光层、所述发光层两侧的第一限制层和第二限制层以及所述第二半导体层组成外延层；

刻蚀所述外延层以暴露出部分所述第一半导体层；

形成与第一半导体层电连接的第一电极和与第二半导体层电连接的第二电极。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一限制层与所述生长衬底的晶格匹配，所述第二限制层与所述生长衬底的晶格匹配。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述第一限制层和所述第二限制层的材料包括AlGaInP、AlInP或AlGaAs，所述第一限制层和所述第二限制层的掺杂类型不同。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层与所述生长衬底的晶格失配，所述第二半导体层与所述生长衬底的晶格失配。

5.根据权利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括磷化镓。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第一半导体层上形成第一欧姆接触层，以及在所述第二半导体层上形成第二欧姆接触层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述外延层上形成反射层，所述反射层覆盖所述第一欧姆接触层、所述第二欧姆接触层以及所述外延层的表面和侧壁。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反射层包括分布式布拉格反射镜，所述反射层的材料包括二氧化硅和二氧化钛。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述键合层由透明材料制成，所述键合层的材料包括二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝中的至少一种。

10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述反射层上形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别通过贯穿所述反射层的第一通孔和第二通孔与所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层电连接。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述发光层为包括(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP/(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP的非故意掺杂的超晶格结构，其中，x的范围为0～1，y的范围为0.4～0.6。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外延层的侧壁与所述透明衬底所在的平面之间具有预设的夹角，所述夹角为45°至90°。

13.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一外延结构还包括位于所述生长衬底和所述第二限制层之间的缓冲层和截止层，所述缓冲层与所述生长衬底相邻，所述截止层位于所述缓冲层和所述第二限制层之间，去除所述生长衬底时还包括去除所述缓冲层和所述截止层。