[发明专利]一种自发电供电的植入装置充放电路在审
申请号: | 202210177412.7 | 申请日: | 2022-02-25 |
公开(公告)号: | CN114498852A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 彭志辉 | 申请(专利权)人: | 温州大学 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02J7/34 |
代理公司: | 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33294 | 代理人: | 余冬 |
地址: | 325006 浙江省温州市瓯海区瓯海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发电 供电 植入 装置 电路 | ||
1.一种自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于,包括:依次连接的充电开关、电感L、n个充放电单元、高频滤波电容Cf和放电开关;所述充电开关由与输入电压Vd连接的PMOS管和PMOS管组成,放电开关由PMOS管组成,PMOS管栅极的其中一个引脚与PMOS管的漏极连接,PMOS管栅极的另一个引脚和PMOS管的源极均与PMOS管的源极连接,且PMOS管的源极接地,PMOS管的源极和PMOS管的栅极均与电感L的一端连接,PMOS管的漏极与电源Vd连接,PMOS管的栅极与放电控制信号连接,PMOS管的漏极与电流输出端连接;所述充放电路单元由电容电容PMOS管和NMOS管组成,NMOS管栅极的一个引脚与电容一端以及电容的一端连接,NMOS管的源极和电容的另一端均接地,NMOS管的漏极与PMOS管的源极连接,PMOS管的源极和电容的另一端均与电感L的另一端连接,NMOS管栅极的另一个引脚和PMOS管的漏极形成输出电压Vo,且与PMOS管的源极连接;所述高频滤波电容Cf的一端连接至输出电压Vo,高频滤波电容Cf的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述的n个充放电单元并联连接,用于储存和释放电能。
3.根据权利要求2所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述n个充放电单元相同,即并且和具有相同的导通阈值电压,即
4.根据权利要求1所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述电感L,当充电开关导通时输入电压Vd被拉低,消除充电震荡。
5.根据权利要求1所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述高频滤波电容Cf用于滤除输出电压Vo的高频噪声。
6.根据权利要求1所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述放电开关用于释放充放电单元储存的能量,其PMOS管的栅极上连接有用于控制的信号
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州大学,未经温州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210177412.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电芯一致性筛选方法及系统
- 下一篇:一种铜制毛细管引风式散热器