[发明专利]一种自发电供电的植入装置充放电路在审

专利信息
申请号: 202210177412.7 申请日: 2022-02-25
公开(公告)号: CN114498852A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 彭志辉 申请(专利权)人: 温州大学
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02J7/34
代理公司: 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33294 代理人: 余冬
地址: 325006 浙江省温州市瓯海区瓯海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 发电 供电 植入 装置 电路
【权利要求书】:

1.一种自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于,包括:依次连接的充电开关、电感L、n个充放电单元、高频滤波电容Cf和放电开关;所述充电开关由与输入电压Vd连接的PMOS管和PMOS管组成,放电开关由PMOS管组成,PMOS管栅极的其中一个引脚与PMOS管的漏极连接,PMOS管栅极的另一个引脚和PMOS管的源极均与PMOS管的源极连接,且PMOS管的源极接地,PMOS管的源极和PMOS管的栅极均与电感L的一端连接,PMOS管的漏极与电源Vd连接,PMOS管的栅极与放电控制信号连接,PMOS管的漏极与电流输出端连接;所述充放电路单元由电容电容PMOS管和NMOS管组成,NMOS管栅极的一个引脚与电容一端以及电容的一端连接,NMOS管的源极和电容的另一端均接地,NMOS管的漏极与PMOS管的源极连接,PMOS管的源极和电容的另一端均与电感L的另一端连接,NMOS管栅极的另一个引脚和PMOS管的漏极形成输出电压Vo,且与PMOS管的源极连接;所述高频滤波电容Cf的一端连接至输出电压Vo,高频滤波电容Cf的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述的n个充放电单元并联连接,用于储存和释放电能。

3.根据权利要求2所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述n个充放电单元相同,即并且和具有相同的导通阈值电压,即

4.根据权利要求1所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述电感L,当充电开关导通时输入电压Vd被拉低,消除充电震荡。

5.根据权利要求1所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述高频滤波电容Cf用于滤除输出电压Vo的高频噪声。

6.根据权利要求1所述的自发电供电的植入装置充放电路,其特征在于:所述放电开关用于释放充放电单元储存的能量,其PMOS管的栅极上连接有用于控制的信号

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