[发明专利]具有供电电容器切换的功率放大器

权利要求书

1.一种移动装置，包括：

功率放大器，其被配置为放大射频信号；

功率管理电路，其被配置为控制所述功率放大器的供电电压的电压电平，所述功率管理电路可在选自多种供电控制模式的选定供电控制模式下进行操作；及

前端系统，其包括具有与所述供电电压连接的第一端的供电电容器、连接在所述供电电容器的第二端与地电压之间的n型场效应晶体管接地开关和连接在所述供电电容器的所述第二端与所述供电电压之间的n型场效应晶体管放电开关，所述n型场效应晶体管接地开关和所述n型场效应晶体管放电开关基于所述选定供电控制模式而被控制。

2.如权利要求1所述的移动装置，其中所述多种供电控制模式包括平均功率跟踪模式和包络跟踪模式。

3.如权利要求2所述的移动装置，其中所述n型场效应晶体管接地开关被配置为在所述平均功率跟踪模式中接通和在所述包络跟踪模式中关断，并且所述n型场效应晶体管放电开关被配置为在所述平均功率跟踪模式中关断和所述包络跟踪模式中接通。

4.如权利要求1所述的移动装置，其中所述n型场效应晶体管放电开关包括两个或更多串联的n型场效应晶体管。

5.如权利要求4所述的移动装置，其中所述前端系统还包括被配置为偏置所述两个或更多n型场效应晶体管的分压器。

6.如权利要求5所述的移动装置，其中所述分压器包括与所述供电电压连接的第一端子和通过模式晶体管与所述接地电压连接的第二端子。

7.如权利要求6所述的移动装置，其中所述多种供电控制模式包括平均功率跟踪模式和包络跟踪模式，所述模式晶体管被配置为在所述包络跟踪模式中接通和在所述平均功率跟踪模式中关断。

8.如权利要求1所述的移动装置，其中所述n型场效应晶体管接地开关和所述n型场效应晶体管放电开关在使用体硅工艺制造的半导体芯片上实现。

9.一种功率放大器系统，包括：

功率放大器，其被配置为放大射频信号；

功率管理电路，其被配置为控制所述功率放大器的供电电压的电压电平，所述功率管理电路可在选自多种供电控制模式的选定供电控制模式下进行操作；

供电电容器，其具有与所述供电电压连接的第一端；

n型场效应晶体管接地开关，其连接在所述供电电容器的第二端与地电压之间；及

n型场效应晶体管放电开关，其连接在所述供电电容器的所述第二端与所述供电电压之间，所述n型场效应晶体管接地开关和所述n型场效应晶体管放电开关基于所述选定供电控制模式而被控制。

10.如权利要求9所述的功率放大器系统，其中所述多种供电控制模式包括平均功率跟踪模式和包络跟踪模式。

11.如权利要求10所述的功率放大器系统，其中所述n型场效应晶体管接地开关被配置为在所述平均功率跟踪模式中接通和在所述包络跟踪模式中关断，并且所述n型场效应晶体管放电开关被配置为在所述平均功率跟踪模式中关断和在所述包络跟踪模式中接通。

12.如权利要求9所述的功率放大器系统，其中所述n型场效应晶体管放电开关包括两个或更多串联的n型场效应晶体管。

13.如权利要求12所述的功率放大器系统，还包括被配置为偏置所述两个或更多n型场效应晶体管的分压器。

14.如权利要求13所述的功率放大器系统，其中所述分压器包括与所述供电电压连接的第一端子和通过模式晶体管与所述接地电压连接的第二端子。