[发明专利]一种高击穿强度芳纶隔膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 202210174186.7 | 申请日: | 2022-02-25 |
公开(公告)号: | CN114243093B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 张影;刘杲珺;张绪杰;李论;贾国重;吴奇阳;徐梦;白耀宗;甘珊珊 | 申请(专利权)人: | 湖南中锂新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01M10/0525 | 分类号: | H01M10/0525;H01M50/403;H01M50/417;H01M50/423;H01M50/44;H01M50/449;H01M50/454;H01M50/489;H01M50/491;H01G11/52;H01G11/84 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 彭小兰 |
地址: | 410600 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 击穿 强度 隔膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高击穿强度芳纶隔膜,其特征在于,所述高击穿强度芳纶隔膜包括:基膜和设置于所述基膜单侧或双侧的芳纶涂层;
所述芳纶涂层的外层呈密实状多孔结构,所述芳纶涂层的内部呈纤维状多孔结构;
所述高击穿强度芳纶隔膜的芳纶涂层透气度增加值为20-30s/100cc/μm,所述高击穿强度芳纶隔膜的芳纶涂层击穿强度为0.24-0.3kv/μm;
芳纶涂层透气度增加值=(涂覆后整个涂覆隔膜的透气度-基膜的透气度)/涂层厚度;
芳纶涂层击穿强度=(涂覆后整个涂覆隔膜的击穿电压-基膜的击穿电压)/涂层厚度。
2.根据权利要求1所述的高击穿强度芳纶隔膜,其特征在于,所述基膜的厚度为4-20μm,透气度为50-500s/100cc,击穿强度为0.01-0.5kv/μm。
3.根据权利要求1所述的高击穿强度芳纶隔膜,其特征在于,所述芳纶涂层的厚度为1-5μm。
4.一种高击穿强度芳纶隔膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将芳纶原液与无机填料投入到有机溶剂中分散,得到芳纶浆料;
(2)在基膜的一面或两面均匀涂覆步骤(1)得到的芳纶浆料,得到涂有芳纶浆料的涂覆膜;
(3)将步骤(2)得到的涂覆膜经过浓度梯度的凝固浴中预凝固;
(4)经步骤(3)凝固浴预凝固的涂覆膜进入水槽中,将残留的有机溶剂充分洗脱后进行干燥;
(5)步骤(4)干燥后的涂覆隔膜进入热处理工序进行热处理,得到高击穿强度芳纶隔膜;
其中,步骤(3)中凝固浴包括第一凝固槽和第二凝固槽,第一凝固槽和第二凝固槽中各自独立地为有机溶剂和水的混合溶液,第一凝固槽的混合溶液中有机溶剂的质量浓度为25%-45%,第二凝固槽的混合溶液中有机溶剂的质量浓度为5%-25%,第一凝固槽和第二凝固槽的混合溶液中有机溶剂的质量浓度差≤30%。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,涂覆膜进入第一凝固槽和第二凝固槽预凝固的纵向张力≤300N/m。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,热处理工序采用横向幅宽可调、纵向可回缩的轨道链铗,借助热风循环的方式进行热处理;
其中,热处理温度为120-140℃,横向收缩量为1%-5%,纵向收缩量为1%-5%。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,芳纶原液为在芳纶聚合体中引入刚性基团的芳纶原液,引入刚性基团的方式为在芳纶聚合物主链上引入刚性结构单元,或为芳纶聚合物与含有刚性基团的单体进行共缩聚;
步骤(1)中,无机填料选自氧化铝、勃姆石、碳酸钙、水滑石、蒙脱土、尖晶石、莫来石、二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆、氧化镁、氧化钙、氧化铍、氢氧化镁、氮化硼、氮化硅、氮化铝、氮化钛、碳化硼、碳化硅、碳化锆中的一种或几种。
8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,基膜选自聚乙烯微孔膜、聚丙烯微孔膜、聚乙烯/聚丙烯/聚乙烯三层复合微孔膜、聚偏氟乙烯微孔膜、聚酰亚胺微孔膜、无纺布中的任意一种;
步骤(2)中,涂覆方式包含微凹版辊涂覆、线棒涂覆、刮刀涂覆中的任意一种。
9.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,水槽设置为三级水槽,均为纯水设置,水槽内的纯水采用自后一级向前一级的溢流方式;
干燥采用辊筒接触式加热烘干方式,干燥温度为80-100℃。
10.一种锂离子电池或超级电容器,其特征在于,所述锂离子电池或超级电容器包括权利要求1-3任一项所述的高击穿强度芳纶隔膜或权利要求4-9任一项所述的制备方法制备得到的高击穿强度芳纶隔膜。
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