[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

第一电极，所述第一电极位于所述基底上，所述第一电极围成朝向远离所述基底方向延伸的通孔；

第二电极，所述第二电极至少位于所述通孔内；

电容介质层，所述电容介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二电极、所述电容介质层以及所述第一电极构成电容结构；

晶体管，所述晶体管位于所述电容结构上，且所述晶体管包括沿垂直于所述基底表面方向间隔排布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二电极电连接，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型为N型或者P型中的一者，且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相同；

位线，所述位线位于所述晶体管上，且与所述第二掺杂区电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：绝缘层，所述电容结构位于所述绝缘层内，且所述绝缘层暴露出所述第二电极顶面；所述通孔远离所述第二电极的外侧壁与所述绝缘层相接触；所述通孔被所述第二电极和所述电容介质层共同填满，且所述第二电极顶面与所述电容介质层顶面齐平。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介质层还位于所述第一电极顶面以及所述绝缘层顶面，且所述第二电极顶面与所述电容介质层顶面齐平。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极还位于所述通孔的外侧壁以及所述第一电极顶面，且所述第二电极包括：

第一主体部，所述第一主体部位于所述通孔内；

第二主体部，所述第二主体部位于所述通孔的外侧壁，所述第二主体部的材料与所述第一主体部的材料相同，且在平行于所述基底表面方向上，所述第一主体部的厚度大于所述第二主体部的厚度；

电连接部，所述电连接部横跨所述第一主体部以及所述第二主体部，且与所述第一主体部顶面和所述第二主体部顶面相接触。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，对于同一所述电容结构，所述第二电极为一体成型结构。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极包括：

侧边部，所述侧边部为所述通孔的侧壁部分；

底连接部，所述底连接部为所述通孔平行于所述基底的底面部分；

所述半导体结构还包括：电连接层，所述电连接层位于所述基底上，且电连接相邻的所述底连接部。

7.如权利要求6所述半导体结构，其特征在于，所述电连接层与所述底连接部为一体成型膜层，且所述电容介质层还位于所述电连接层表面。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述侧边部与所述底连接部为一体成型膜层，且所述电连接层还位于所述底连接部与所述基底之间。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管还包括：

沟道区，所述沟道区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，且所述沟道区、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区的材料至少包括IGZO、IWO或者ITO中的一种或多种；

栅介质层，所述栅介质层环绕所述沟道区设置，且位于所述沟道区的侧壁表面；

栅导电层，所述栅导电层环绕所述沟道区设置，且位于所述沟道区对应的所述栅介质层的侧壁表面。