[发明专利]一种太阳能电池、光伏组件在审
| 申请号： | 202210172054.0 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN114551606A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 瞿佳华;金井升;张临安 | 申请（专利权）人： | 晶科能源（海宁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 范旋锋 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 组件 | ||
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
N型半导体衬底，所述N型半导体衬底具有相对的前表面和后表面；
所述N型半导体衬底的前表面设有硼扩散层，所述硼扩散层表面设有第一钝化层，穿过所述第一钝化层与所述N型半导体衬底形成电连接的第一电极；
所述N型半导体衬底的后表面设有掺磷多晶硅层，所述N型半导体衬底后表面与掺磷多晶硅层之间设有含有氮元素和磷元素的氧化硅层，所述掺磷多晶硅层的表面设有第二钝化层，穿过所述第二钝化层与所述掺磷多晶硅层形成电连接的第二电极。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述含有氮元素和磷元素的氧化硅层为单层氧化层结构。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅层为多层氧化层结构，所述多层氧化层结构包括第一氧化子层、第二氧化子层和第三氧化子层，其中，所述第一氧化子层为氮掺杂氧化硅层、所述第二氧化子层的材质为二氧化硅层，所述第三氧化子层为磷掺杂氧化硅层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化子层、第二氧化子层和第三氧化子层中的至少一层中含有Al元素和/或Ta元素。
5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅层的总厚度小于等于
6.根据权利要求1～5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺磷多晶硅层的掺杂浓度为1×1019cm-3～1×1021cm-3。
7.根据权利要求1～6任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层包括氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的至少一种。
8.根据权利要求1～7任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层包括氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的至少一种。
9.根据权利要求1～8任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极为银电极或银/铝电极，和/或所述第二电极为银电极。
10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括多个太阳能电池串，所述太阳能电池串包括根据权利要求1～9任一项所述的太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
