[发明专利]一种抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210169851.3 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114864692A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;颜聪;王树龙;陈树鹏;陈瑞博 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 fdsoi 场效应 及其 制备 方法 | ||
1.一种抗辐照FDSOI场效应管，其特征在于，所述抗辐照FDSOI场效应管包括：
衬底层(1)；
埋氧层(3)，位于所述衬底层(1)上，且在所述衬底层(1)靠近所述埋氧层(3)的内侧位有背平面阱(2)；
顶层硅(4)，位于所述埋氧层(3)上；
第一浅槽隔离区(5)、第二浅槽隔离区(6)和第三浅槽隔离区(7)，所述第一浅槽隔离区(5)和所述第三浅槽隔离区(7)分别位于所述背平面阱(2)两端的台阶上，所述第二浅槽隔离区(6)位于所述背平面阱(2)的凹槽上，且所述第二浅槽隔离区(6)位于所述第一浅槽隔离区(5)和所述第三浅槽隔离区(7)之间，且所述第一浅槽隔离区(5)、所述第二浅槽隔离区(6)和所述第三浅槽隔离区(7)的上表面均高于所述背平面阱(2)的上表面；
背栅(8)，位于所述第一浅槽隔离区(5)和所述第二浅槽隔离区(6)之间，并分别与所述第一浅槽隔离区(5)和所述第二浅槽隔离区(6)相接触；
加固源区(9)，位于所述埋氧层(3)上，且所述加固源区(9)位于所述顶层硅(4)和所述第二浅槽隔离区(6)之间，并分别与所述顶层硅(4)和所述第二浅槽隔离区(6)相接触；
漏区(10)，位于所述埋氧层(3)上，且所述漏区(10)位于所述顶层硅(4)和所述第三浅槽隔离区(7)之间，并分别与所述顶层硅(4)和所述第三浅槽隔离区(7)相接触；
栅氧化层(11)，位于所述顶层硅(4)上；
高K栅介质层(12)，位于所述栅氧化层(11)上；
栅极(13)，位于所述高K栅介质层(12)上；
轻掺杂源区(14)和轻掺杂漏区(15)，所述轻掺杂源区(14)和所述轻掺杂漏区(15)分别位于所述顶层硅(4)的两端内；
两个侧墙(16)，分别位于所述高K栅介质层(12)上，且两个所述侧墙(16)分别位于所述栅极(13)的两侧。
2.根据权利要求1所述的抗辐照FDSOI场效应管，其特征在于，所述背平面阱(2)包括P阱或者N阱。
3.根据权利要求1所述的抗辐照FDSOI场效应管，其特征在于，所述加固源区(9)包括注入离子的顶层硅(4)和位于所述顶层硅(4)上注入离子的Si层。
4.根据权利要求3所述的抗辐照FDSOI场效应管，其特征在于，所述加固源区(9)包括第一导电类型重掺杂区(91)、第二导电类型重掺杂区(92)，其中，所述第二导电类型重掺杂区(92)分别位于所述第一导电类型重掺杂区(91)沿纵向的两端及其底部，且所有所述第二导电类型重掺杂区(92)依次相连。
5.根据权利要求4所述的抗辐照FDSOI场效应管，其特征在于，所述第一导电类型重掺杂区(91)的导电类型为N型，所述第二导电类型重掺杂区(92)的导电类型为P型；或者所述第一导电类型重掺杂区(91)的导电类型为P型，所述第二导电类型重掺杂区(92)的导电类型为N型。
6.根据权利要求1所述的抗辐照FDSOI场效应管，其特征在于，所述漏区(10)包括注入离子的顶层硅(4)和位于所述顶层硅(4)上注入离子的Si层。
7.根据权利要求3或6所述的抗辐照FDSOI场效应管，其特征在于，所述Si层的厚度为5nm-15nm。
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