[发明专利]蓝宝石衬底、发光二极管芯片和衬底的制备方法

权利要求书

1.一种蓝宝石衬底，其特征在于，所述蓝宝石衬底(10)用于外延生长的一面具有一定位直边(11)，所述用于外延生长的一面具有多个盲孔(20)，所述多个盲孔(20)在远离所述定位直边(11)的方向上，横截面积逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底，其特征在于，所述用于外延生长的一面具有多个分区(30)，从所述定位直边(11)至远离所述定位直边(11)的方向上，多个所述分区(30)依次排布；

位于同一所述分区(30)内的所述盲孔(20)的横截面积相同，从所述定位直边(11)至远离所述定位直边(11)的方向上，各所述分区(30)内的所述盲孔(20)的横截面积逐渐增大。

3.根据权利要求2所述的蓝宝石衬底，其特征在于，同一所述分区(30)中包括至少一排间隔排布的多个所述盲孔(20)，同一排中各所述盲孔(20)的中心位于同一圆弧线。

4.根据权利要求1至3任一项所述的蓝宝石衬底，其特征在于，所述盲孔(20)包括相连的沉孔段(210)和锥孔段(220)，所述沉孔段(210)的一端与所述锥孔段(220)的小端同轴相连，所述锥孔段(220)的大端位于所述用于外延生长的一面；

所述多个盲孔(20)的所述沉孔段(210)的孔径相同，从所述定位直边(11)至远离所述定位直边(11)的方向上，所述锥孔段(220)的大端的直径逐渐增大。

5.根据权利要求4所述的蓝宝石衬底，其特征在于，所述沉孔段(210)的孔径为100nm至600nm，在垂直于所述用于外延生长的一面的方向上，所述沉孔段(210)的长度为100nm至500nm。

6.根据权利要求4所述的蓝宝石衬底，其特征在于，所述锥孔段(220)的长度为100nm至500nm，所述锥孔段(220)的大端的直径为800nm至1200nm，所述锥孔段(220)的小端的直径为500nm至700nm。

7.根据权利要求1至3任一项所述的蓝宝石衬底，其特征在于，相邻两个所述盲孔(20)之间的间距为800nm至1500nm。

8.一种蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一蓝宝石衬底；

在所述蓝宝石衬底用于外延生长的一面形成多个盲孔，所述用于外延生长的一面具有一定位直边，所述多个盲孔在远离所述定位直边的方向上，横截面积逐渐增大。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述蓝宝石衬底用于外延生长的一面形成多个盲孔包括：

刻蚀所述蓝宝石衬底用于外延生长的一面形成盲孔，所述盲孔具有相连的沉孔段和锥孔段，所述沉孔段的一端与所述锥孔段的小端同轴相连，所述锥孔段的大端位于所述用于外延生长的一面。

10.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括如权利要求1至7任一项所述蓝宝石衬底。