[发明专利]改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的方法、结构及半导体器件

权利要求书

1.改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的结构，包括晶圆衬底硅片，所述晶圆衬底硅片包括位于中部的有效图形区域和位于边缘的晶圆边缘去边区，所述有效图形区域内形成芯片单元阵列；所述有效图形区域形成对应于每个芯片单元的有效区硅通孔，其特征在于：所述晶圆边缘去边区形成阵列排布的去边区硅通孔，所述有效区硅通孔及所述去边区硅通孔通过BOSCH工艺同步刻蚀形成。

2.根据权利要求1所述的改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的结构，其特征在于：所述去边区硅通孔沿晶圆的圆周周向间隔分布。

3.根据权利要求2所述的改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的结构，其特征在于：所述去边区硅通孔形成的同心圆阵列至少为一圈。

4.根据权利要求1所述的改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的结构，其特征在于：所述去边区硅通孔的截面积与所述有效区硅通孔的截面积相同。

5.根据权利要求1所述的改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的结构，其特征在于：所述去边区硅通孔的截面积大于所述有效区硅通孔的截面积。

6.根据权利要求5所述的改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的结构，其特征在于：所述去边区硅通孔形成的同心圆阵列至少为两圈。

7.根据权利要求1所述的改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的结构，其特征在于：所述有效区硅通孔为MEMS麦克风的背腔。

8.改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的方法，其特征在于，包括：

提供晶圆衬底硅片，所述晶圆衬底硅片包括位于中部的有效图形区域和位于边缘的晶圆边缘去边区，所述有效图形区域内形成芯片单元阵列；

在所述晶圆衬底硅片背面形成掩膜层；

在所述有效图形区域去除部分所述掩膜层以形成有效区开窗图形单元阵列，在所述晶圆边缘去边区去除部分掩膜层以形成去边区开窗图形单元阵列；

对所述有效区开窗图形单元及所述去边区开窗图形单元同步进行BOSCH工艺刻蚀，以形成有效区硅通孔和去边区硅通孔。

9.根据权利要求8所述的改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的方法，其特征在于：所述BOSCH工艺中的刻蚀速率大于钝化层沉积速率。

10.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件为MEMS麦克风，所述MEMS麦克风包括背腔，所述背腔为采用如权利要求8或9所述改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的方法形成的有效区硅通孔。