[发明专利]一种集成电路版图电流密度超标区域优化方法及系统

权利要求书

1.一种集成电路版图电流密度超标区域优化方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：计算每层集成电路版图中网格剖分单元的电流密度，通过标定电流密度超标区域，判断是否有电流密度超标区域；

若有电流密度超标区域，转入步骤S2；

若没有电流密度超标区域，转入步骤S10；

步骤S2：根据电流密度超标区域的分布规律定义两类电流密度超标区域，并判断所述电流密度超标区域属于哪类超标区域；

若判断所述电流密度超标区域为第一类超标区域，转入步骤S3；

若判断所述电流密度超标区域为第二类超标区域，转入步骤S8；

第一类超标区域为集成电路版图中包含一个完整多边形的区域，所述区域内所有网格剖分单元的电流密度超标；

第二类超标区域为集成电路版图中包含一个多边形内的局部区域，在所述多边形内只有这个局部区域的网格剖分单元的电流密度超标；

步骤S3：确定第一类超标区域的电位最高点A和电位最低点B，计算第一类超标区域的电流密度平均值；

步骤S4：根据第一类超标区域的电流密度平均值与电流密度允许最大值的比值，在当前层增大第一类超标区域的面积；

步骤S5：更新第一类超标区域的电流密度平均值，判断所述第一类超标区域的面积是否增大成功，若判断增大成功，转入步骤S9，否则，转入步骤S6；

步骤S6：设置S_total=S_new，判断A，B对应的投影之间是否存在有多余空间的层，如果存在所述有多余空间的层，转入步骤S7，否则，转入步骤S10；所述S_total为第一类超标区域增大后的总面积，S_new为步骤S4实现的第一类超标区域增大后的面积；

步骤S7：增加连通超标区域到当前层的过孔V_A, V_B，在所述有多余空间的层增加能连通过孔V_A, V_B的覆铜多边形，获得更新的S_total，转入步骤S5；

步骤S8：将距离电流密度最大值最近的过孔定义为过孔V，在所述过孔V周围均匀布置新的过孔；

步骤S9：获得新的电路版图设计模型，转到步骤S1；

步骤S10：结束优化。

2.根据权利要求1所述的集成电路版图电流密度超标区域优化方法，其特征在于，所述计算第一类超标区域的电流密度平均值的公式为：

式中，S_e为网格剖分单元e的面积，J_e为网格剖分单元e的电流密度，为电流密度平均值，表示求和。