[发明专利]在快闪存储器中进行耗损平衡操作的方法和相关控制器以及储存系统在审
| 申请号: | 202210160308.7 | 申请日: | 2022-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN115114180A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 杨子逸 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F3/06 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 闪存 储器中 进行 耗损 平衡 操作 方法 相关 控制器 以及 储存 系统 | ||
1.一种在一快闪存储器中进行执行一耗损平衡操作的方法,包含:
根据一区块被抹除后,该快闪存储器进行抹除操作的次数,决定该快闪存储器的多个区块中每一区块的一区块年龄;
透过将该多个区块的区块年龄与一年龄限制进行比较,从该多个区块中选出一个或多个候选来源区块;
根据该一个或多个候选来源区块的抹除次数或者区块年龄,从该一个或多个候选来源区块中选出一来源区块;以及
对该来源区块进行该耗损平衡操作。
2.如权利要求1所述的方法,其中决定该多个区块中的每一区块的该区块年龄的步骤包含:
因应该多个区块上所进行的抹除操作,记录并且更新一系统抹除时戳;
当一区块被抹除时,根据该系统抹除时戳的一当前数值,记录并且更新一区块抹除时戳;以及
透过计算该系统抹除时戳的数值与该区块抹除时戳的数值之间的差值,决定该区块年龄。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该快闪存储器包含一单层储存单元(single-level cell,SLC)区域以及一三层储存单元(triple-level cell,TLC)区域,并且其中决定该多个区块中的每一区块的该区块年龄的步骤包含:
记录一第一系统抹除时戳,并且仅在该SLC区域中有抹除操作发生时,才更新该第一系统抹除时戳;以及记录一第二系统抹除时戳,并且仅在该TLC区域中有抹除操作发生时,才更新该第二系统抹除时戳;
当该SLC区域中的一个区块被抹除时,根据该第一系统抹除时戳的一当前数值,更新该SLC区域中的该区块的一第一区块抹除时戳,并且当该TLC区域中的一个区块被抹除时,根据该第二系统抹除时戳的一当前数值,更新该TLC区域中的该区块的一第二区块抹除时戳;以及
透过计算该第一系统抹除时戳的数值与该第一区块抹除时戳的数值之间的差值,来决定该SLC区域中的该区块的该区块年龄;并且透过计算该第二系统抹除时戳的数值与该第二区块抹除时戳的数值之间的差值,来决定该TLC区域中的该区块的该区块年龄。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,选择该一个或多个候选来源区块的步骤包含:
设定该年龄限制;以及
选择区块年龄超过该年龄限制的一个或多个区块作为该一个或多个候选来源区块。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,设定该年龄限制的步骤包含:
根据该快闪存储器中该多个区块的一区块数量来设定该年龄限制。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,该快闪存储器包含一SLC区域与一TLC区域,且设定该年龄限制的步骤包含:
根据该SLC区域的一区块数量,设定一第一年龄限制;以及根据该TLC区域的一区块数量,设定一第二年龄限制,并且选择该一个或多个候选来源区块的步骤包含:
从该SLC区域中选择区块年龄超过该第一年龄限制的一个或多个区块作为该一个或多个候选来源区块;以及
从该TLC区域中选择区块年龄超过该第二年龄限制的一个或多个区块作为该一个或多个候选来源区块。
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,设定该年龄限制的步骤包含:
根据一抹除次数差值临界值和该快闪存储器中超额配置(over-provisioning)区块的数量设定该年龄限制。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,该抹除次数差值临界值系根据该多个区块的预期寿命编程/抹除周期(program/erase cycle)的一百分比所决定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于慧荣科技股份有限公司,未经慧荣科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210160308.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:MSLA 3D打印机的LCD寿命延长方法
- 下一篇:着色树脂组合物





