[发明专利]发光装置及包括发光装置的电子设备

权利要求书

1.发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；以及

设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中

所述中间层包括发射层和电子传输区，

所述发射层包含主体和掺杂剂，

所述电子传输区设置在所述发射层与所述第二电极之间并且包括第一电子传输层和第二电子传输层，

所述第一电子传输层包含第一电子传输材料，

所述第一电子传输材料的最低激发三重态能级大于所述发射层的所述掺杂剂的最低激发三重态能级，

所述第二电子传输层包含第二电子传输材料和金属掺杂剂，

所述第二电子传输层中的所述金属掺杂剂的量等于或小于5wt％，以及

所述第二电极中的银的量等于或大于90wt％。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电子传输层直接接触所述发射层。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二电子传输层直接接触所述第二电极。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输区进一步包括空穴阻挡层、电子控制层、电子注入层或其组合。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层中的所述掺杂剂包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂或其组合。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述发光装置进一步包括设置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，以及

所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其组合。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电子传输材料包括包含至少一个含缺π电子的氮的环的不含金属的化合物。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电子传输层不包含金属。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二电子传输材料包括基于菲咯啉的化合物、基于氧化膦的化合物或其组合。