[发明专利]一种半导体散热结构及半导体芯片在审
| 申请号： | 202210156523.X | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114496951A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 汪红梅;荣世立 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 朝鲁蒙;陈黎明 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 散热 结构 芯片 | ||
1.一种半导体散热结构，其特征在于，包括：设置于所述半导体衬底内部的密封管道，所述密封管道内填充有吸热材料，所述吸热材料用于通过改变物质状态进行吸热。
2.根据权利要求1所述的半导体散热结构，其特征在于，所述吸热材料包括：在大于等于第一温度阈值时，由固态转化为液态的吸热材料。
3.根据权利要求1所述的半导体散热结构，其特征在于，所述吸热材料包括：在大于等于第二温度阈值时，由液态转化为气态的吸热材料。
4.根据权利要求2所述的半导体散热结构，其特征在于，所述吸热材料包括：在大于等于第二温度阈值时，由液态转化为气态的吸热材料。
5.根据权利要求3-4任意一项所述的半导体散热结构，其特征在于，所述密封管道具有足够的使得所述吸热材料进行固液转化或气液转化的空间。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体散热结构，其特征在于，填充有所述吸热材料的密封管道均匀的设置在所述半导体衬底的内部。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体散热结构，其特征在于，填充有所述吸热材料的密封管道集中设置在半导体产热器件集中区域的衬底内部。
8.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体散热结构，其特征在于，还包括：贯穿所述半导体衬底的散热孔道。
9.根据权利要求8所述的半导体散热结构，其特征在于，所述散热孔道内部填充有导热材料，并且填充有所述吸热材料的密封管道与所述散热孔道贯通连接。
10.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片内部具有如权利要求1-9任意一项所述的半导体散热结构。
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