[发明专利]一种低功耗的MOS管温度传感器电路在审
| 申请号: | 202210154881.7 | 申请日: | 2022-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN114690843A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 于奇;肖淋洋;李靖 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26;G01K7/00 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功耗 mos 温度传感器 电路 | ||
本发明涉及模拟集成电路领域,具体涉及一种低功耗的MOS管温度传感器电路。本发明根据MOS管的亚阈区特性,将工作在相等的栅极电压下的两个相同的NMOS管MA1和MB1给予不同的漏源电压,得到与温度相关的不同大小的电流值,对这两条支路I1和I2的电流作比,然后进行两点校正处理,得到该电路的温度误差值。由于本发明当输入特定的电源电压时,可以使电路模块的MOS管均工作在亚阈区,且输出感温电流受工艺偏差的影响较小;输出电流可以通过电流镜结构复制输出到所需要的其他模块里区,且本电路的器件工作均在亚阈区,能够得到与温度有关的电流值,且电流值较小,能实现低功耗的特点。
技术领域
本发明涉及模拟集成电路领域,具体涉及一种低功耗的MOS管温度传感器电路。
背景技术
随着物联网的不断发展,电子产品越来越便携化,对于现在电子产品的性能需求越来越高,最主要的就是功耗问题。
图1为传统检测温度的电路结构,它可以产生PTAT(与温度成正比)电压。电路正常工作时,需要PTAT电流保持平衡,就要求运放正负输入端的电压相等,P1、P2两管的漏电相同。为了避免工艺引起的误差,就引入R1、R2、R3来调节支路电流。但这个结构需要加入运放才能实现功能,且运放需要工作在饱和区,这就增加了运放的功耗,整体电路的功耗增加了许多,这对于现在便携设备的功耗需求增加了难度。
发明内容
针对上述存在问题或不足,为解决现有温度检测电路功耗过高的问题,本发明提出了一种低功耗的MOS管温度传感器电路。
本发明的技术方案如下:
一种低功耗的MOS管温度传感器电路,包括检测温度模块和分压模块。
所述检测温度模块包括完全相同的2个PMOS管和完全相同的m+2个NMOS管,m≥10,构成小电流支路I1和大电流支路I2两条支路。
小电流支路I1支路,包括m个NMOS管和PMOS管MP1;PMOS管MP1的源极接外部电源,MP1栅极与漏极短接在一起,且MP1的漏极接在第m NMOS管MAm的漏极上;小电流支路I1的m个NMOS管分别为第一NMOS管MA1、第二NMOS管MA2、依此直至第m NMOS管MAm,按编号从大至小以在前的NMOS管源极接在后NMOS管漏极的方式依次串联构成;第一NMOS管MA1的源极接地。
大电流支路I2支路包括第m+1NMOS管MB2、第m+2NMOS管MB1和PMOS管MP2。PMOS管MP2的源极接外部电源,MP2栅极与漏极短接在一起;MP2的漏极接第m+1NMOS管MB2的漏极上,第m+1NMOS管MB2的源极接第m+2NMOS管MB1的漏极,第m+2NMOS管MB1的源极接地。且第m+1NMOS管MB2的栅极接第m NMOS管MAm的栅极,第m+2NMOS管MB1的栅极接第一NMOS管MA1的栅极。
检测温度模块连接外部电源和地,输入端接分压模块,PMOS管MP1和MP2分别构成的电流镜作为输出端复制并输出。
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