[发明专利]一种提升CaO:Eu2+

权利要求书

1.一种提升CaO:Eu²⁺近红外荧光粉发光强度和热稳定性的方法，其特征在于，通过在CaO:Eu²⁺近红外荧光粉中引入GeO₂、SnO₂或PbO₂材料添加剂，弥补高温还原烧结过程中CaO晶格结构所形成的氧空位，从而提升荧光粉的发光强度和热稳定性能。

2.根据权利要求1所述的一种提升CaO:Eu²⁺近红外荧光粉发光强度和热稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)按化学通式CaO:xEu²⁺,yMO₂的化学计量比称取原料，并充分研细混匀，得到原料混合物；

(2)将步骤(1)得到的原料混合物置于氧化铝坩埚或者石墨坩埚中，并在还原气氛的高温炉中煅烧，得到烧结体；

(3)将步骤(2)得到的烧结体研磨成粉末，即得所述性能优化的近红外光荧光粉。

3.根据权利要求1所述的一种提升CaO:Eu²⁺近红外荧光粉发光强度和热稳定性的方法，其特征在于，步骤(1)所述添加剂的原料为锗、锡、铅的氧化物、碳酸盐、硫酸盐、磷酸盐、硝酸盐以及其它可以转化为锗、锡、铅氧化物的盐类。

4.根据权利要求2所述的一种提升CaO:Eu²⁺近红外荧光粉发光强度和热稳定性的方法，其特征在于，步骤(2)所述还原气氛为CO或者H₂和N₂的混合气体。

5.根据权利要求2所述的一种提升CaO:Eu²⁺近红外荧光粉发光强度和热稳定性的方法，其特征在于，步骤(2)所述煅烧的温度为1300～1500℃，煅烧的时间为1～10h。

6.根据权利要求2所述的一种提升CaO:Eu²⁺近红外荧光粉发光强度和热稳定性的方法，其特征在于，步骤(3)所述研磨的时间为15～30min。

7.一种由权利要求1-6所述的制备方法制得的性能优化的近红外荧光粉，其特征在于，其化学通式为CaO:xEu²⁺,yMO₂，其中0x≤1％,0y≤8％,M为Ge,Sn,Pb中的一种，且以Eu²⁺为发光中心。

8.权利要求7所述的一种性能优化的近红外荧光粉在近红外LED发光装置中的应用。

9.根据权利要求8所述的性能优化的近红外荧光粉在近红外LED发光装置中的应用，其特征在于，所述近红外LED发光装置包括封装基板、LED芯片和制备得到的性能优化后的CaO:Eu²⁺近红外荧光粉。

10.根据权利要求9所述的性能优化的近红外荧光粉在近红外LED发光装置中的应用，其特征在于，所述LED芯片为InGaN或GaN半导体芯片。