[发明专利]一种可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法

权利要求书

1.一种可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：该方法采用锡基焊料，并以(111)取向的纳米孪晶铜作为基板金属化层(UBM)材料，回流焊后进行恒温放置处理，从而实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合。

2.根据权利要求1所述的可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

(1)制备Cu基板：提供带有Cu种子层的硅(Si)晶圆，在所述的带有Cu种子层的Si晶圆上通过电镀工艺电镀一层Cu薄膜，获得Cu基板；所述Cu薄膜为(111)取向的纳米孪晶铜；

(2)回流焊：使用Sn基焊料，将其涂抹在步骤(1)所制成的Cu基板上，并将所形成的三明治结构放置于回流焊炉中进行回流焊；

(3)恒温放置处理：将步骤(2)中回流焊后制得的焊点放入恒温油浴池中，在一定温度下恒温时效一定的时间后，即能实现焊点内金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的焊点。

3.根据权利要求2所述的可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述Cu种子层，其完整且均匀地覆盖Si晶圆表面。

4.根据权利要求2所述的可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：步骤(1)中，电镀后的Cu薄膜厚度为5～100μm，Cu薄膜表面Cu的(111)晶体取向的织构系数为70～100％。

5.根据权利要求2所述的可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述回流焊的最高温度为280～300℃，在最高温度条件下的维持时间为30～60s，气氛为氮气气氛，降温阶段的降温速率为5～10℃/分钟，最终形成焊点。

6.根据权利要求2所述的可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：步骤(3)中，所述恒温时效的温度为150-200℃(130℃

即使时效很长时间孔洞也不会完全消失)，恒温时效时间为100-300h。

7.根据权利要求2所述的可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：步骤(3)中，所述恒温时效的温度为160-185℃，恒温时效时间为200-300h。

8.根据权利要求2所述的可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：步骤(3)恒温时效后，焊点中Cu₃Sn的平均厚度不大于2μm。

9.根据权利要求2所述的可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法，其特征在于：步骤(3)恒温时效后，所得焊点中柯肯达尔孔洞中的85％以上达到自愈合。