[发明专利]钙钛矿光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210149724.7 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114530559A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 方铉;田丰;王登魁;房丹;张海汐;李波波;李金华;王晓华 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 130000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿光电探测器，其特征在于，包括层叠设置的聚乙烯醇-纳米金属粒子层和钙钛矿层；
所述聚乙烯醇-纳米金属粒子层和所述钙钛矿层之间具有空腔。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述聚乙烯醇-纳米金属粒子层中的纳米金属离子包括纳米金粒子、纳米银粒子和纳米铟粒子中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述钙钛矿层中的钙钛矿为多晶钙钛矿，所述多晶钙钛矿包括CsPbBr3、CsPbI3、CsPbCl3和MAPbBr3中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述聚乙烯醇-纳米金属粒子层的厚度为100nm-800nm。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述钙钛矿层的厚度为500nm-5000nm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述空腔中包括气体，所述气体包括空气、氮气、二氧化碳、稀有气体中的一种或多种；
优选地，所述空腔的深度为100nm-1000nm。
7.一种权利要求1-6任一项所述的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：
将含有金属纳米颗粒的聚乙烯醇溶液在第一衬底上形成所述聚乙烯醇-纳米金属粒子层；
在第二衬底上涂覆PbX溶液得到PbX薄膜，然后将所述PbX薄膜与YX溶液反应得到钙钛矿多晶薄膜，退火得到所述钙钛矿层；其中，X选自Cl、Br、I中的任一种，Y选自Cs或MA；
将所述聚乙烯醇-纳米金属粒子层和所述钙钛矿层贴合得到所述钙钛矿光电探测器。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为150℃-350℃。
9.根据权利要求7所述的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，所述第一衬底包括玻璃，所述第二衬底包括导电衬底；
优选地，所述第一衬底为石英玻璃，所述导电衬底为ITO玻璃。
10.根据权利要求7-9任一项所述的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，所述第一衬底和所述第二衬底使用前均进行清洗；
优选地，所述清洗包括：使用丙酮、乙醇和去离子水进行超声处理；
优选地，所述第一衬底使用前还包括等离子体亲水性处理；
优选地，所述涂覆为旋转涂覆，旋转速率为1500rpm-3000rpm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
