[发明专利]击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构

权利要求书

1.一种击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，包括设置于同一P型衬底上的PNP管(T1)和NPN管(T2)，所述PNP管(T1)基极接所述NPN管(T2)集电极，所述PNP管(T1)集电极接所述NPN管(T2)基极，所述PNP管(T1)发射极接电源阳极，所述PNP管(T1)基极和所述NPN管(T2)集电极经第一电阻(Rnwell)接电源阳极，所述NPN管(T2)发射极接电源阴极，所述NPN管(T2)基极和所述PNP管(T1)集电极经第二电阻(Rpwell)接电源阴极，其特征在于：

还包括用于调节击穿电压的稳压二极管(D3)，所述稳压二极管(D3)与所述PNP管(T1)和NPN管(T2)设置于同一P型衬底上，所述稳压二极管(D3)阳极与所述NPN管(T2)基极、所述PNP管(T1)集电极连接，所述稳压二极管(D3)阴极与所述PNP管(T1)基极和所述NPN管(T2)集电极连接；

P型衬底上方设有N阱区(10)和P阱区(11)，N阱区(10)内的上部设有第三N+掺杂区(02)，P阱区(11)内的上部设有第二P+掺杂区(03)，所述N阱区(10)作为稳压二极管(D3)的阴极，所述第三N+掺杂区(02)作为所述稳压二极管(D3)的阴极欧姆接触引出端；所述P阱区(11)作为所述稳压二极管(D3)的阳极，所述第二P+掺杂区(03)作为稳压二极管(D3)的阳极欧姆接触引出端；

通过改变第三N+掺杂区(02)与N阱区(10)端部的间距(S)调节稳压二极管(D3)的击穿电压；

N阱区(10)内的上部设有第一P+掺杂区(04)和第一N+掺杂区(05)，N阱区(10)作为NPN管(T2)的集电极与PNP管(T1)的基极，NPN管(T2)的集电极与PNP管(T1)的基极相连；第一P+掺杂区(04)作为PNP管(T1)发射极的欧姆接触引出端，第一N+掺杂区(05)作为PNP管(T1)基极的欧姆接触引出端。

2.根据权利要求1所述的击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，其特征在于：P阱区(11)内的上部设有第二N+掺杂区(01)；P阱区(11)作为PNP管(T1)的集电极与NPN管(T2)的基极，PNP管(T1)的集电极与NPN管(T2)的基极相连；第二N+掺杂区(01)作为NPN管(T2)发射极的欧姆接触引出端。

3.根据权利要求所述1的击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，其特征在于：P阱区(11)内，NPN管(T2)基极至第二P+掺杂区(03)之间的等效电阻为第一电阻(Rnwell)。

4.根据权利要求2所述的击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，其特征在于：N阱区(10)内，PNP管(T1)的基极至第一N+掺杂区(05)之间的等效电阻为第二电阻(Rpwell)。

5.根据权利要求1所述的击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，其特征在于：P阱区(11)位于N阱区(10)左侧；第二P+掺杂区(03)位于第二N+掺杂区(01)的左侧；第三N+掺杂区(02)、第一P+掺杂区(04)、第一N+掺杂区(05)由左至右依次分布。

6.根据权利要求1或2所述的击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，其特征在于：P+掺杂区和N+掺杂区相互之间设有隔离区(FOX)。

7.根据权利要求6所述的击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，其特征在于：隔离区(FOX)为场氧工艺，由绝缘材料SIO2填充。