[发明专利]一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器在审
申请号: | 202210145415.2 | 申请日: | 2022-02-17 |
公开(公告)号: | CN114583460A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 张玉婷;刘坤;黄巍;杜浩;郝晓源;刘嵩义;杨松;吕铄 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00 |
代理公司: | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人: | 张学平 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 可调 电磁 诱导 透明 谐振器 | ||
1.一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器,其特征在于,
包括基底层、介质层、暗模谐振器和明模谐振器,所述介质层和所述明模谐振器均设置于所述基底层的顶端,所述明模谐振器位于所述介质层的一侧,所述暗模谐振器设置于所述介质层的顶端;
所述介质层包括掺杂硅、二氧化铪和氧化铟锡层,所述掺杂硅、所述二氧化铪和所述氧化铟锡层由下至上依次堆叠于所述基底层和所述暗模谐振器之间,所述基底层采用石英衬底,所述暗模谐振器采用硅圆环,所述明模谐振器采用硅条。
2.如权利要求1所述的一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器,其特征在于,
所述基底层的厚度为200nm,所述掺杂硅的厚度为10nm,二氧化铪的厚度为5nm,氧化铟锡厚度为10nm,所述介质层长为535nm,宽为750nm;所述明模谐振器长为145nm,宽为720nm,厚度为135nm。
3.如权利要求2所述的一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器,其特征在于,
所述基底层的长为750nm,宽为750nm。
4.如权利要求3所述的一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器,其特征在于,
所述暗模谐振器的厚度为110nm,外径为225nm,内径为110nm。
5.如权利要求4所述的一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器,其特征在于,
所述氧化铟锡的表面和所述掺杂硅的表面各引出一个电极,施加偏置电压,改变氧化铟锡的性质。
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