[发明专利]钝化接触电池及其制备工艺

权利要求书

1.一种钝化接触电池的制备工艺，其特征在于，其背面场钝化结构的制备包括：

在硅片的背面生长隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层的表面生长本征碳化硅层；

在所述本征碳化硅层表面生长磷掺杂碳化硅层；以及

退火处理，以使所述磷掺杂碳化硅层中的磷与碳化硅形成共价键。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述本征碳化硅层的厚度为5～80nm；

可选地，所述本征碳化硅层的厚度为5～50nm；

可选地，所述本征碳化硅层的厚度为20～30nm。

3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述磷掺杂碳化硅层的厚度为20～200nm；

可选地，所述磷掺杂碳化硅层的厚度为100～150nm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述本征碳化硅层和所述磷掺杂碳化硅层的总厚度≤200nm。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，生长所述本征碳化硅层的步骤中，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述本征碳化硅层；

和/或，生长所述磷掺杂碳化硅层的步骤中，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述磷掺杂碳化硅层。

6.根据权利要求1、2或5所述的制备工艺，其特征在于，生长所述本征碳化硅层的步骤中，通入CH₄、SiH₄和H₂进行反应沉积；其中，CH₄和SiH₄的体积比为1：(1～10)。

7.根据权利要求1、3或5所述的制备工艺，其特征在于，生长所述磷掺杂碳化硅层的步骤中，通入CH₄、SiH₄、PH₃和H₂进行反应沉积；其中，CH₄和SiH₄的体积比为1：(1～10)。

8.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述退火处理步骤中，退火温度为600～1000℃，退火时间为10～60min；

可选地，退火温度为900～940℃。

9.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，在生长所述磷掺杂碳化硅层的步骤之后，且在所述退火处理步骤之前，还包括：在所述磷掺杂碳化硅层的表面生长SiO_x掩膜层。

10.一种钝化接触电池，其特征在于，包括：硅片，以及在所述硅片的背面依次层叠的隧穿氧化层、本征碳化硅层和磷掺杂碳化硅层。