[发明专利]一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置

权利要求书

1.一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，包括自倍频Nd:YCOB调Q激光器、腔外三倍频激光器，所述自倍频Nd:YCOB调Q激光器的输出端连接所述腔外三倍频激光器的输入端；

所述自倍频Nd:YCOB调Q激光器，用于把原始泵浦激光经自倍频处理过程产生666nm红光脉冲激光；

所述腔外三倍频激光器，用于把所述666nm红光脉冲激光经过三倍频频率转换，得到222nm深紫外脉冲激光并输出腔外。

2.根据权利要求1所述的一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，所述自倍频Nd:YCOB调Q激光器包括LD泵浦源(1)、第一耦合透镜组(2)、Nd:YCOB自倍频晶体(3)、调Q开关晶体(4)、第一输出镜(5)、第一45°平面镜(6)、第一激光收集堆(7)；

由所述LD泵浦源(1)发射的810nm泵浦激光经所述第一耦合透镜组(2)进行整形后聚焦于所述Nd:YCOB自倍频晶体(3)激发产生1332nm脉冲激光，所述1332nm激光经所述调Q开关晶体(4)后在所述Nd:YCOB自倍频晶体(3)的前端面和所述第一输出镜(5)之间形成所述1332nm脉冲激光振荡，产生的1332nm脉冲激光经所述Nd:YCOB自倍频晶体(3)自倍频处理过程产生666nm红光脉冲激光，所述666nm红光脉冲激光经第一输出镜(5)；经第一输出镜(5)完全输出的666nm红光脉冲激光和一部分1332nm脉冲激光通过所述第一45°分束镜(6)进行分束，反射的1332nm脉冲激光进入第一激光收集堆(7)，透射的666nm红光脉冲激光进入所述腔外三倍频激光器。

3.根据权利要求2所述的一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，所述LD泵浦源(1)是光纤耦合输出激光二极管，其输出激光中心波长为810nm的，光纤芯径为600μm，数值孔径为0.16NA。

4.根据权利要求2所述的一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，所述第一耦合透镜组(2)镀有810nm增透膜，用于对810nm激光进行整形。

5.根据权利要求2所述的一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，所述Nd:YCOB自倍频晶体(3)是采用3.5％的Nd³⁺掺杂，晶体尺寸为3×3×12mm³，前端面镀有810nm增透膜、1332nm高反膜以及666nm高反膜，后端面镀有1332nm和666nm增透膜。

6.根据权利要求2所述的一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，所述调Q开关晶体(4)是采用的声光调Q的方式，晶体长度为30mm，衍射损耗大于80％，分离角为7.54rad；所述调Q开关晶体(4)的两个通光面均镀有666nm和1332nm增透膜。

7.根据权利要求2所述的一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，所述第一输出镜(5)半径R为100mm；所述第一输出镜(5)前表面镀有1332nm高反膜和666nm增透膜，后表面镀有666nm增透膜；且所述第一输出镜(5)与所述Nd:YCOB自倍频晶体(3)的前端面距离为50mm。

8.根据权利要求2所述的一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，所述第一45°入射平面镜(6)前表面镀有1332nm高反膜和666nm增透膜，后表面镀有666nm增透膜。

9.根据权利要求2所述的一种222nm深紫外脉冲激光源的产生装置，其特征在于，所述第一激光收集堆(7)收集的是1332nm脉冲激光。