[发明专利]新型半导体电容封装结构及其封装方法在审
| 申请号： | 202210134918.X | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114664771A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 史经奎;朱楠;邓永辉;徐贺;梅营 | 申请（专利权）人： | 致瞻科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 郑纯;黎飞鸿 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区秀*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 半导体 电容 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种新型半导体电容封装结构，其特征在于，所述半导体电容封装结构包括：
至少一个芯片载板框架；
至少一个半导体电容芯片，所述半导体电容芯片固定在所述芯片载板框架上；
塑封材料，设置在所述芯片载板框架四周，并包封所述半导体电容芯片；
多个导电柱，设置在所述塑封材料中，所述导电柱的下端部连接所述半导体电容芯片的电极，所述导电柱的上端部伸出所述塑封材料；
重布线层，设置在所述导电柱的上端部一侧的所述塑封材料表面。
2.根据权利要求1所述的新型半导体电容封装结构，其特征在于，所述芯片载板框架采用金属材质制成的载板框架。
3.根据权利要求1所述的新型半导体电容封装结构，其特征在于，所述半导体电容封装结构还包括种子层，所述种子层设置在所述导电柱的下端部与所述半导体电容芯片的电极之间。
4.根据权利要求3所述的新型半导体电容封装结构，其特征在于，所述种子层包括钛层。
5.根据权利要求1所述的新型半导体电容封装结构，其特征在于，所述导电柱为铜柱。
6.根据权利要求1所述的新型半导体电容封装结构，其特征在于，所述塑封材料为环氧塑封料。
7.一种新型半导体电容封装结构的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
将半导体电容芯片固定在芯片载板框架上；
在所述芯片载板框架四周灌注塑封材料，并使所述塑封材料包封所述半导体电容芯片；
在所述塑封材料上开设多个通孔，所述多个通孔的底部连接所述半导体电容芯片的电极；
在所述多个通孔内设置导电柱；
在所述塑封材料表面设置重布线层。
8.根据权利要求7所述的新型半导体电容封装结构的封装方法，其特征在于，在所述多个通孔内设置导电柱的步骤之前还包括：先在所述多个通孔底部的所述半导体电容芯片的电极表面通过真空溅射形成种子层。
9.根据权利要求7所述的新型半导体电容封装结构的封装方法，其特征在于，在所述多个通孔内通过电镀工艺形成所述导电柱。
10.根据权利要求7所述的新型半导体电容封装结构的封装方法，其特征在于，在所述塑封材料上通过激光钻孔形成所述多个通孔。
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