[发明专利]记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的操作方法在审
申请号: | 202210133194.7 | 申请日: | 2022-02-11 |
公开(公告)号: | CN114596895A | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 林钲峻;苏晋毅;曾珮玲;邹宗成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记忆体 装置 系统 以及 操作方法 | ||
在本揭示文件的一些态样中,揭示一种记忆体装置、一种记忆体系统以及一种记忆体装置的操作方法。在一些态样中,记忆体装置包含第一电压调节器,用于接收提供至记忆体阵列的字元线电压;耦接至第一电压调节器以提供抑制电压至记忆体阵列的电阻器网络,其中电阻器网络包含多个电阻器,且其中电阻器中的各者串联并耦接至多个电阻器中的相邻者;及包含多个开关的开关网络,其中开关中的各者耦接至多个电阻器中的相应者且透过第二电压调节器耦接至记忆体阵列。
技术领域
本揭示文件是关于一种记忆体装置、一种记忆体系统以及一种记忆体装置的操作方法,特别是关于一种具有用于调节抑制电压的电压调节器的记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的操作方法。
背景技术
电阻式随机存取记忆体(Resistive Random Access Memory,RRAM)为一种非挥发性(Non-volatile,NV)随机存取记忆体(Random Access Memory,RAM),通过改变材料上的电阻来实现。此材料可以包含介电固态材料,但电阻式随机存取记忆体可以使用广泛的材料。这种材料可以称为忆阻器。
发明内容
本揭示文件提供一种记忆体装置。记忆体装置包含第一电压调节器、电阻器网络以及开关网络。第一电压调节器用于接收提供至记忆体阵列的字元线电压。电阻器网络耦接至第一电压调节器以提供抑制电压至记忆体阵列,其中电阻器网络包含多个电阻器,且其中电阻器中的各者串联耦接至多个电阻器中的相邻者。开关网络包含多个开关,其中开关中的各者耦接至多个电阻器中的相应者,且透过第二电压调节器耦接至记忆体阵列。
本揭示文件提供一种记忆体系统。记忆体系统包含记忆体阵列、追踪电路以及电压调节器。追踪电路用于接收提供至记忆体阵列的字元线电压,且提供抑制电压以使记忆体阵列的多个未选择记忆体单元偏压。电压调节器用于接收抑制电压且提供经过滤波的抑制电压至多个未选择记忆体单元。
本揭示文件提供一种记忆体装置的操作方法。记忆体装置的操作方法包含经由耦接至记忆体单元子集的字元线接收字元线电压;以及经由记忆体单元子集的未选择记忆体单元的位元线以及选择线接收以固定差量偏压于字元线电压的抑制电压。
附图说明
本揭示文件的态样在与随附附图一起研读时,能从以下详细描述内容中得到最佳的理解。应注意,根据工业中的标准规范,各种特征未按比例绘制。实际上,各种特征的尺寸可以为了论述清楚而经任意地增大或减小。
图1为根据一些实施例所绘示的记忆体系统的方块图;
图2为根据一些实施例所绘示的程序化一或多个记忆体单元的时序图;
图3为根据一些实施例所绘示的图1的追踪电路的电路图;
图4为根据一些实施例所绘示的图3的追踪电路的增益图;
图5为根据一些实施例所绘示的图1的追踪电路的另一电路图;
图6为根据一些实施例所绘示的图5的追踪电路的增益图;
图7为根据一些实施例所绘示的图1的追踪电路的另一电路图;
图8为根据一些实施例所绘示的图7的追踪电路的增益图;
图9为根据一些实施例所绘示的程序化一或多个记忆体单元的时序图;
图10为根据本揭示文件的一些实施例所绘示的记忆体装置的操作方法的流程图;以及
图11为根据本揭示文件的各个实施例所绘示的记忆体系统的配置的方块图。
【符号说明】
100:记忆体系统
102:记忆体阵列
102A~102D:子集
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