[发明专利]半导体器件、电子组件及方法在审
| 申请号： | 202210133054.X | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN114464592A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | M.科茨鲍尔;J.M.S.帕耶;M.施特歇尔;A.詹克尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子 组件 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包括接触衬垫的电流隔离信号传输耦合器，
其中所述接触衬垫包括：
金属基底层；
布置在金属基底层上的金属扩散屏障层；以及
布置在金属扩散屏障层上的金属线可接合层，
其中，金属扩散屏障层包括第一部分、第二部分，所述第一部分具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一部分的第一表面在外围处包括弯曲表面，第一部分在横向平面中延伸并且具有宽度，所述第二部分在第一部分的宽度的中间处从第二表面伸出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括被布置在金属基底层的外围区段上并且具有暴露金属基底层的一部分的第一开口的第一隔离层，其中金属扩散屏障层的第二部分被布置在第一隔离层中的第一开口中，并且金属扩散屏障层的第一部分延伸到第一隔离层的邻近第一开口的表面上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括金属线可接合层上的金属钝化层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，金属基底层包括铜，和/或金属扩散屏障层包括NiP，和/或金属线可接合层包括Pd和/或金属钝化层包括Au。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括第二隔离层，所述第二隔离层被布置在金属线可接合层的外围区段上并且包括暴露金属线可接合层的一部分的第二开口。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，金属钝化层被布置在第二开口中并且由第二开口定界。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括第三隔离层和第四隔离层，所述第三隔离层包括被布置在第一隔离层上的环，所述第四隔离层被布置在第三隔离层的外部面上。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，第一隔离层包括氢化SixNy，第二隔离层包括酰亚胺，第三隔离层包括SiOx或磷硅酸玻璃并且第四隔离层包括氢化SixNy。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电流隔离信号传输耦合器包括电感式耦合器，所述电感式耦合器包括耦合到接触衬垫的平面线圈。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电感式耦合器包括与第一平面线圈一起布置在堆叠中并且通过包括SiOx的隔离层与第一平面线圈电流隔离的第二平面线圈，并且被配置成提供针对至少10kVpeak的浪涌脉冲隔离电压VIOSM的加强电流隔离。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括被布置成与第一平面线圈基本上共面并且耦合到接触衬垫的第三平面线圈。
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述平面线圈和金属基底层被集成在半导体管芯中。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电流隔离信号传输耦合器包括电容式耦合器，并且所述接触衬垫提供所述电容式耦合器的板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210133054.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
