[发明专利]一种光电传感器的低成本制备方法及其结构

权利要求书

1.一种光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，包括：

步骤1、提供衬底，对其正表面进行一次薄氧形成遮蔽层，使用第一掺杂剂对表面轻掺杂形成第一掺杂区域；

步骤2、在掺杂后的衬底表面制备出场氧化层；

步骤3、进行第一次光刻并腐蚀出第二掺杂窗口区域，使用第二掺杂剂进行掺杂形成第二掺杂区域；

步骤4、根据光响应要求在第二掺杂窗口区域表面氧化出氧化层；

步骤5、对第二掺杂窗口区域表面的氧化层进行第二次光刻，制备出接触孔；

步骤6、在正面淀积金属电极并进行第三次光刻，腐蚀出正面金属电极；

步骤7、在衬底背面淀积背面金属电极。

2.如权利要求1所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述第一掺杂剂的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同，所述第二掺杂剂的掺杂类型与所述第一掺杂剂的掺杂类型不同。

3.如权利要求1所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述第一掺杂剂的注入剂量为1×10¹¹cm^-3～1×10¹³cm^-3，注入能量为30keV～100keV。

4.如权利要求3所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述第一掺杂剂的注入剂量为1×10¹²cm^-3～5×10¹²cm^-3；注入能量为60keV～80keV。

5.如权利要求1所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述第二掺杂剂的注入剂量为1×10¹³cm^-3～1×10¹⁶cm^-3，注入能量为50keV～120keV。

6.如权利要求1所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述第二掺杂剂的注入剂量为1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，注入能量为70keV～100keV。

7.如权利要求1所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述步骤4中氧化层的厚度为130～150nm或150～170nm；厚度为130～150nm时对应于光响应度峰值波长为800nm，厚度为150～170nm时对应于光响应度峰值波长为900nm。

8.一种光电传感器结构，其特征在于，包括衬底，其底部外表面淀积有背面金属电极，顶部外表面形成有氧化层；所述衬底的顶部内表面形成有第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域位于所述氧化层的下方，且所述第二掺杂区域的深度比所述第一掺杂区域大；所述第一掺杂区域上覆盖有正面金属电极；所述正面金属电极穿过所述氧化层与所述第二掺杂区域接触。

9.如权利要求8所述的光电传感器结构，其特征在于，所述氧化层包括遮蔽层和制备的出场氧化层，其总厚度为600nm～1100nm。