[发明专利]一种高精度跟踪保持电路

权利要求书

1.一种高精度跟踪保持电路，其特征在于，包括采样开关S1、S2，采样电容C1、C2，差分放大器以及反馈补偿电容C5、C6；差分放大器的输入和输出之间有寄生电容C3、C4；采样开关S1的一端连接输入信号IP，另一端连接采样电容C1；采样开关S2的一端连接输入信号IN，另一端连接采样电容C2；采样电容C1、C2分别连接差分放大器的正、负输入端；反馈补偿电容C5的一端连接C1，另一端连接差分放大器的正输出端即输出信号OP；反馈补偿电容C6的一端连接C2，另一端连接差分放大器的负输出端即输出信号ON。

2.根据权利要求1所述的高精度跟踪保持电路，其特征在于，当工作在跟踪状态时，开关S1、S2导通，采样信号TP、TN与输入信号IP、IN分别相同，输出信号OP、ON跟随采样信号TP、TN变化。

3.根据权利要求1所述的高精度跟踪保持电路，其特征在于，当由跟踪状态切换到保持状态时，开关S1、S2断开，采样信号被存储在采样电容C1、C2上，由于差分放大器有延时，输出信号OP、ON在一段时间后才保持不变；在这段时间内，正向输出信号OP通过寄生电容C4耦合到采样电容C2上，反向输出信号ON通过反馈补偿电容C6同样耦合到采样电容C2上，两种耦合相互抵消，使采样信号TN保持不变；同理，反向输出信号ON通过寄生电容C3耦合到采样电容C1上，正向输出信号OP通过反馈补偿电容C5同样耦合到采样电容C1上，使得两种耦合相互抵消，使采样信号TP保持不变。

4.根据权利要求1所述的高精度跟踪保持电路，其特征在于，采样电容C1、C2及反馈补偿电容C5、C6是独立的电容器件，或是电路节点的寄生电容，或是晶体管的栅电容。

5.一种高精度跟踪保持电路，其特征在于，包括第一采样开关、第二采样开关，差分放大器，第一反馈补偿晶体管以及第二反馈补偿晶体管；第一采样开关、第二采样开关为PMOS晶体管；所述差分放大器包括第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管，电阻R1、R2以及电流源；第一反馈补偿晶体管、第二反馈补偿晶体管的寄生电容被分别用于补偿第二NMOS晶体管、第一NMOS晶体管的寄生电容；其中，第一采样开关的栅极连接开关控制信号CK，源极连接输入信号IP，漏极连接差分放大器中第二NMOS晶体管的栅极；第二采样开关的栅极连接开关控制信号CK，源极连接输入信号IN，漏极连接差分放大器中第一NMOS晶体管的栅极；电阻R1的一端连接差分放大器中第一NMOS晶体管的漏极，记为输出信号OP，另一端连接电源VDD；电阻R2的一端连接差分放大器中第二NMOS晶体管的漏极，记为输出信号ON，另一端连接电源VDD；第一反馈补偿晶体管306的栅极连接第二NMOS晶体管的栅极，第一反馈补偿晶体管的源极与漏极均连接第一NMOS晶体管的漏极；第二反馈补偿晶体管的栅极连接第一NMOS晶体管的栅极，第二反馈补偿晶体管的源极与漏极均连接第二NMOS晶体管的漏极；所述电流源的一端连接第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管的源极，另一端接地。

6.根据权利要求5所述的高精度跟踪保持电路，其特征在于，当工作在跟踪状态时，第一采样开关、第二采样开关导通，采样信号TP、TN与输入信号IP、IN分别相同，此时输出信号OP、ON跟随采样信号TP、TN变化。

7.根据权利要求5所述的高精度跟踪保持电路，其特征在于，当由跟踪状态切换到保持状态时，第一采样开关、第二采样开关断开，采样信号被存储在差分放大器的输入节点；由于差分放大器有延时，输出信号OP、ON在一段时间后才保持不变，在这段时间内，正向输出信号OP通过第一NMOS晶体管的寄生电容耦合到第一NMOS晶体管的栅极，反向输出信号ON通过第二反馈补偿晶体管同样耦合到第一NMOS晶体管的栅极，两种耦合相互抵消，使采样信号TN保持不变；同理，第二NMOS晶体管的寄生电容和第一反馈补偿晶体管也互相抵消，使采样信号TP保持不变。