[发明专利]一种温度补偿BOD电路在审
| 申请号： | 202210127108.1 | 申请日： | 2022-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN114546021A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 袁志勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567;G05F3/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 温度 补偿 bod 电路 | ||
1.一种温度补偿BOD电路，其特征在于，所述温度补偿BOD电路，包括：第一镜像支路、第二镜像支路、第三镜像支路、启动电路和电压比较器；
所述第一镜像支路和所述第二镜像支路分别包括一个第一镜像PMOS管和一个镜像NMOS管，所述第二镜像支路还包括一个第一电阻；所述第三镜像支路包括一个第二镜像PMOS管、一个正温度系数电阻和一个负温度系数电阻，所述第一镜像PMOS管与所述第二镜像PMOS管具有不同的镜像比例；
所述第一镜像支路中，所述第一镜像PMOS管与所述镜像NMOS管的漏端同与所述启动电路相连。
2.根据权利要求1所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，所述第一镜像支路中，所述第一镜像PMOS管的源端连接所述电源电压，所述第一镜像PMOS管的漏端连接所述镜像NMOS管的漏端，所述镜像NMOS管的源端接地。
3.根据权利要求2所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，所述第二镜像支路中，所述第一镜像PMOS管的源端连接所述电源电压，所述第一镜像PMOS管的漏端连接所述镜像NMOS管的漏端，所述镜像NMOS管的衬底接地，所述镜像NMOS管的源端与所述第一电阻相连，所述第一电阻的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，所述第三镜像支路中，所述第二镜像PMOS管的源端连接所述电源电压，所述第二镜像PMOS管的漏端连接所述正温度系数电阻，所述正温度系数电阻的另一端连接所述负温度系数电阻，所述负温度系数电阻的另一端接地。
可选的，第一镜像PMOS管P2的漏端还与电压比较器20的正极相连。
可选的，第二镜像PMOS管P3的漏端还与电压比较器20的负极相连；
电压比较器20的负极与正温度系数电阻RP相连。
5.根据权利要求4所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，所述第一镜像PMOS管的漏端还与所述电压比较器的正极相连。
6.根据权利要求5所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，
所述第二镜像PMOS管的漏端还与所述电压比较器的负极相连。
7.根据权利要求6所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，
所述电压比较器的负极与所述正温度系数电阻相连。
8.根据权利要求1至7任一所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，所述第一镜像PMOS管和所述第二镜像PMOS管的镜像比例为1:M，其中，M为正整数。
9.根据权利要求1至7任一所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，
所述第一电阻为电流产生电阻；
所述正温度系数电阻和所述负温度系数电阻为所述电压比较器的负极处电压产生电阻。
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