[发明专利]一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线在审
| 申请号: | 202210127035.6 | 申请日: | 2022-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN114464996A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 朱天琪;李芊芊;朱迪迪;章海锋 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
| 主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q3/38;H01Q21/00;H01Q21/24 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210003 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 表面 等离子体 极化 阵列 天线 | ||
1.一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线,其特征在于,包括上层介质基板和下层介质基板;所述上层介质基板上表面设置有辐射贴片和圆形贴片,所述辐射贴片和圆形贴片均设置有四个且沿上层介质基板中心旋转对称设置,所述辐射贴片呈月牙状且边缘蚀刻有方槽,所述方槽用于产生人工表面等离子体激元;所述圆形贴片包括内圆和套设于内圆边缘的圆环,所述圆环上沿圆周蚀刻有条形槽,所述条形槽用于产生局域表面等离子体激元;所述下层介质基板上表面设置有移相馈电网络,所述移相馈电网络包括四个信号输出端口,四个所述信号输出端口上分别设置有金属探针,所述金属探针向上分别连接辐射贴片进行馈电。
2.根据权利要求1所述的一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线,其特征在于,所述圆极化阵列天线的尺寸为1.27λg×1.27λg×0.18λg,λg为导波长。
3.根据权利要求1所述的一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线,其特征在于,所述上层介质基板和下层介质基板均采用介电常数为2.2、损耗正切为0.003的绝缘F4B介质基板。
4.根据权利要求1所述的一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线,其特征在于,所述辐射贴片包括基圆以及开设于基圆上的圆槽,所述圆槽的圆心位于基圆的边缘,且所述圆槽的半径小于基圆的半径;所述圆形贴片设置于圆槽内侧。
5.根据权利要求1所述的一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线,其特征在于,所述上层介质基板上沿中心旋转对称设置有四个电磁带隙结构,所述电磁带隙结构包括多个半径相等、圆心位于同一直线且间隔设置的金属方片,所述金属方片中心均蚀刻有圆孔,所述金属方片一一对应设置于上层介质基板的上表面和下表面。
6.根据权利要求1所述的一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线,其特征在于,所述移相馈电网络还包括第一等分威尔金森功分器、两个第二等分威尔金森功分器、微带线、两个90°移相器以及180°移相器;所述第一等分威尔金森功分器的输入端连接信号源,所述第一等分威尔金森功分器的输出端分别通过微带线连接至两个第二等分威尔金森功分器输入端,两个所述第二等分威尔金森功分器的输出端分别通过微带线连接至四个信号输出端口,所述180°移相器设置于第一等分威尔金森功分器的一侧输出端连接的微带线上,两个所述90°移相器分别设置于位置相对的两个信号输出端口连接的微带线上。
7.根据权利要求6所述的一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线,其特征在于,所述微带线呈不规则弯曲状排列。
8.根据权利要求6所述的一种基于表面等离子体激元的圆极化阵列天线,其特征在于,所述180°移相器连接的微带线侧边设置有多个条形贴片,所述条形贴片的内侧边均蚀刻有矩形槽。
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