[发明专利]一种半导体的封装方法

权利要求书

1.一种半导体的封装方法，其特征在于，包括：

步骤A. 在引线框架（1）上贴装芯片（2），在芯片（2）的上表面AL焊盘（21）上采用引线键合工艺制作打线端头结构（3）；打线端头结构（3）包括从下到上紧密连接的打线焊盘接触球（31）、过渡连接台（32）和线头（33）；

步骤B. 对完成打线端头结构（3）制作的引线框架（1）进行第一次塑封或者压合包封，实现芯片（2）及打线端头结构（3）全包裹，且包裹层（4）的顶面高度超过打线端头结构（3）的顶面20~50μm；

步骤C. 对包裹层（4）进行减薄，将打线焊盘接触球（31）露出，去掉过渡连接台（32）和线头（33）；

所述引线键合工艺所使用的导线为变径型导线，所述变径型导线包括N个以上彼此相连的结球单元（6），每个结球单元包括线头部（61）、变径部（62）和接头部（63），所述线头部（61）和接头部（63）的直径等于导线的直径，所述变径部（62）中间大两头小，所述变径部（62）的最大直径处是所述导线的直径的2~4倍，N为自然数。

2.如权利要求1所述半导体的封装方法，其特征在于，所述引线键合工艺所使用的导线为金线或铜线，定义导线的直径为d，打线焊盘接触球（31）的直径为D，D≥3d。

3.如权利要求1所述半导体的封装方法，其特征在于，所述引线键合工艺用到的键合针头的数量为2个以上，2个以上的键合针各自牵引导线同时键合，2个以上的打线端头结构（3）彼此共晶融合形成大打线端头结构（30）。

4.如权利要求1所述半导体的封装方法，其特征在于，所述AL焊盘（21）的数量在1个以上，每个AL焊盘（21）上设置有1个以上的打线端头结构（3），1个以上的打线端头结构（3）的打线焊盘接触球（31）完全覆盖所述AL焊盘（21）的表面，相邻的打线焊盘接触球（31）在邻接处共晶融合。

5.如权利要求3或4任一项所述半导体的封装方法，其特征在于，所述引线键合工艺所使用的导线为锌包铜导线，锌层的厚度为导线厚度的10%~60%。

6.如权利要求1所述半导体的封装方法，其特征在于，还包括：

步骤D. 对减薄后的包裹层（4）进行二次塑封或二次压合包封，二次包裹层（5）的厚度为35~50μm；

步骤E. 制作打线焊盘接触球（31）上的芯片盲孔（51）和电路互联孔（52）；

步骤F. 对已成型的芯片盲孔（51）和电路互联孔（52）进行电镀和图形电路加工，实现产品电性互联。

7.如权利要求1所述半导体的封装方法，其特征在于，还包括：

步骤C1. 对减薄后露出打线焊盘接触球（31）的产品表面进行金属化加工，可采用化镀、溅射或蒸镀的方法，制作覆盖打线焊盘接触球（31）的大焊盘（311），所述大焊盘（311）的厚度为15~25μm，大焊盘（311）的周边比打线焊盘接触球（31）的周边大3μm以上；

步骤D. 对制作大焊盘（311）的包裹层（4）进行二次塑封或二次压合包封，二次包裹层（5）的厚度为35~50μm；

步骤E. 制作大焊盘（311）上的芯片盲孔（51）和电路互联孔（52）；

步骤F. 对已成型的芯片盲孔（51）和电路互联孔（52）进行电镀和图形电路加工，实现产品电性互联。

8.如权利要求1所述半导体的封装方法，其特征在于，所述步骤A中，所述引线框架（1）上设置有厚度调节凸台（11），所述厚度调节凸台（11）的厚度为所述芯片（2）和打线焊盘接触球（31）的厚度和的95%~105%。