[发明专利]光耦合装置在审

专利信息
申请号: 202210123781.8 申请日: 2022-02-10
公开(公告)号: CN115832151A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 蔡誉宁;高桥佳子 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L33/54 分类号: H01L33/54;H01L33/56;H01L33/58;H01L25/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 夏斌
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 耦合 装置
【权利要求书】:

1.一种光耦合装置,具备:

引线框;

发光元件,设置于上述引线框;

受光元件,设置于与上述发光元件对置的位置,接受由上述发光元件产生的光;

第1树脂部,设置于上述引线框,具有在沿着连结上述发光元件与上述受光元件的第1方向观察时包围上述发光元件的第1部分、以及在沿着上述第1方向观察时位于上述第1部分与上述发光元件之间的第2部分,上述第1部分的沿着上述第1方向的第1厚度比上述第2部分的沿着上述第1方向的第2厚度大;

第2树脂部,在上述第1方向上设置在上述发光元件与上述受光元件之间,具有光透射性;

第3树脂部,在上述第1方向上设置在上述第2树脂部与上述受光元件之间,具有光透射性;以及

第4树脂部,收纳上述发光元件、上述受光元件、上述第1树脂部、上述第2树脂部以及上述第3树脂部,具有遮光性。

2.根据权利要求1所述的光耦合装置,其中,

上述第1树脂部具有光透射性,

上述第1树脂部的至少一部分在上述第1方向上与上述发光元件重叠。

3.根据权利要求1或2所述的光耦合装置,其中,

上述第1厚度为1μm以上35μm以下,

上述第2厚度为0.1μm以上20μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的光耦合装置,其中,

上述第1厚度为10μm以上100μm以下,

上述第2厚度为5μm以上85μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的光耦合装置,其中,

上述第1树脂部的热膨胀系数为10ppm/K以上30ppm/K以下。

6.根据权利要求1或2所述的光耦合装置,其中,

上述第1树脂部包含分子量为10000以上100000以下的树脂,

上述树脂包含从由芳香族聚酰胺酰亚胺树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰亚胺树脂以及聚酰胺树脂形成的组中选择的至少一种。

7.根据权利要求1或2所述的光耦合装置,其中,

上述第1树脂部包含:

环氧树脂,具有光透射性,热膨胀系数为30ppm/K以上100ppm/K以下;以及

二氧化硅类的无机填料,具有光透射性,热膨胀系数为0.3ppm/K以上2ppm/K以下、粒径为0.1μm以上15μm以下。

8.根据权利要求1或2所述的光耦合装置,其中,

上述第2树脂部包含具有光透射性的环氧树脂以及具有光透射性的硅树脂,

上述第3树脂部包含具有光透射性的环氧树脂以及具有光透射性的无机填料,

上述第4树脂部包含环氧树脂以及具有遮光性的无机填料。

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