[发明专利]OLED显示面板及其制作方法、OLED显示模组在审
申请号: | 202210122710.6 | 申请日: | 2022-02-09 |
公开(公告)号: | CN114551540A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 施国龙;谢伟佳;李伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 模组 | ||
本申请提供了一种OLED显示面板及其制作方法、OLED显示模组。该OLED显示面板包括TFT阵列基板及发光器件层。TFT阵列基板包括位于像素区中的TFT。发光器件层设于TFT阵列基板上,且发光器件层包括位于像素区中并与TFT连接的第一发光器件,及位于透光区中并与第一发光器件连接的第二发光器件。第二发光器件包括第一透明电极、设于第一透明电极上的第二OLED功能层,及设于第二OLED功能层上的第二透明电极。即本申请通过在透光区中设置第二发光器件,第二发光器件不仅可以双面出光,并且第二发光器件还与像素区中的第一发光器件连接,不需要在透光区中设置驱动电路,减少了挡光结构,从而提高CUP区的透过率,进而提高感光元件的感光效果。
技术领域
本申请涉及显示器件技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法、OLED显示模组。
背景技术
电致发光二极管(OLED)具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、低功耗、高色饱和度以及广视角等优点,利用电致发光二极管的显示技术已经成为一种重要的显示技术。
OLED是电流型发光器件,其主要包括阳极、阴极以及OLED功能层。OLED主要的工作原理是:OLED功能层在阳极和阴极形成的电场的驱动下,通过载流子注入和复合而发光。
近些年,全面屏显示装置得到了市场的广泛关注,具有广阔的应用前景。现有技术通过在显示区下方设置屏下感光元件,如摄像头,光线传感器,指纹传感器等来实现全面屏显示装置,感光元件对应的显示区称为屏下摄像头(Camera under Panel,CUP)区,但现有技术的全面屏显示装置中的CUP区中的多个像素会导致CUP区的透过率较低,感光效果较差的问题。
发明内容
本申请提供一种OLED显示面板及其制作方法、OLED显示模组,以解决现有技术的CUP区透过率较低的问题。
第一方面,本申请提供一种OLED显示面板,具有显示区及位于所述显示区中的CUP区,所述CUP区包括间隔设置的多个像素区,及位于相邻两个所述像素区之间的透光区,所述OLED显示面板包括:
TFT阵列基板,所述TFT阵列基板包括位于所述像素区中的TFT;
发光器件层,所述发光器件层设于所述TFT阵列基板上,且所述发光器件层包括位于所述像素区中并与所述TFT连接的第一发光器件,及位于所述透光区中并与所述第一发光器件连接的第二发光器件;
所述第二发光器件包括第一透明电极、设于所述第一透明电极上的第二OLED功能层,及设于所述第二OLED功能层上的第二透明电极。
在一些可能的实现方式中,所述第一发光器件包括第一电极、设于所述第一电极上的第一OLED功能层,及设于所述第一OLED功能层上的第二电极;
所述第一透明电极与所述第一电极连接;所述第二透明电极与所述第二电极连接。
在一些可能的实现方式中,所述第一透明电极与所述第一电极一体成型,所述第二透明电极与所述第二电极一体成型。
在一些可能的实现方式中,所述第二OLED功能层与所述第一OLED功能层一体成型。
在一些可能的实现方式中,所述第一电极包括第一透明金属氧化物层,设于所述第一透明金属氧化物层上的金属层,及设于所述金属层上的第二透明金属氧化物层;
所述第一透明电极与所述第一透明金属氧化物层一体成型。
在一些可能的实现方式中,所述TFT阵列基板还包括设于所述像素区中的反射单元,及设于所述透光区中的折射单元;
所述折射单元位于所述第二发光器件的正下方,用于将所述第二发光器件发出的部分光线和\或外界的部分光线折射至所述反射单元上,并将所述反射单元反射回的光线折射至所述OLED显示面板外部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的