[发明专利]微流控装置及其驱动方法、制作方法在审
申请号: | 202210122213.6 | 申请日: | 2022-02-09 |
公开(公告)号: | CN114534805A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 章凯迪;李伟;林柏全;白云飞;席克瑞;秦锋 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微流控 装置 及其 驱动 方法 制作方法 | ||
1.一种微流控装置,其特征在于,包括:相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板均为平整基板;所述第一基板朝向所述第二基板的一侧包括电极阵列层,所述第二基板朝向所述第一基板的一侧还包括第二电极层;
所述电极阵列层至少包括多个第一电极和多个第二电极;
在平行于第一基板所在平面的方向上,沿第一方向,所述第一基板包括第一区和第二区,所述第一电极位于所述第一区,所述第二电极位于所述第二区;
在垂直于所述第一基板所在平面的方向上,所述第一区的所述第一基板和所述第二基板之间的距离为D1,所述第二区的所述第一基板和所述第二基板之间的距离为D2;其中,D1>D2。
2.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,所述第二电极层为整面结构,所述第二电极层接地信号。
3.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,
沿所述第一方向,所述第一基板和所述第二基板在垂直于所述第一基板所在平面方向上距离逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板形成夹角α,10°≤α≤30°。
5.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,所述电极阵列层包括多个电极,沿所述第一方向,所述第一基板包括多个分区,不同所述分区的所述电极向所述第一基板的正投影面积不同;
沿所述第一方向,各个所述分区的所述电极向所述第一基板的正投影面积逐渐减小。
6.根据权利要求5所述的微流控装置,其特征在于,一个所述分区的所述电极向所述第一基板的正投影面积相同。
7.根据权利要求5所述的微流控装置,其特征在于,一个所述分区的所述电极向所述第一基板的正投影面积不同;沿所述第一方向,一个所述分区的所述电极向所述第一基板的正投影面积逐渐减小。
8.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,
所述第一电极向所述第一基板的正投影面积大于所述第二电极向所述第一基板的正投影面积。
9.根据权利要求8所述的微流控装置,其特征在于,在第二方向上,所述第一电极的长度大于所述第二电极的长度;其中,沿平行于所述第一基板所在平面的方向,所述第一方向与所述第二方向相交。
10.根据权利要求9所述的微流控装置,其特征在于,在所述第二方向上,所述第一电极的长度为L1,所述第二电极的长度为L2,所述L1=m×L2,m为大于1的整数。
11.根据权利要求8所述的微流控装置,其特征在于,沿所述第一方向,所述第一基板还包括第三区,所述第三区位于所述第二区远离所述第一区的一侧;
所述第三区的所述电极阵列层包括第三电极,所述第三电极向所述第一基板的正投影面积小于所述第二电极向所述第一基板的正投影面积。
12.根据权利要求11所述的微流控装置,其特征在于,
所述第二区的所述电极阵列层包括第一收集电极,沿第二方向,所述第一收集电极位于所述第二电极的至少一侧;
所述第三区的所述电极阵列层包括第二收集电极,沿所述第二方向,所述第二收集电极位于所述第三电极的至少一侧;
其中,沿平行于所述第一基板所在平面的方向,所述第一方向与所述第二方向相交。
13.根据权利要求12所述的微流控装置,其特征在于,所述第一收集电极与所述第二电极的形状和大小相同,所述第二收集电极与所述第三电极的形状和大小相同。
14.根据权利要求8所述的微流控装置,其特征在于,
所述第一电极向所述第一基板的正投影的形状为梯形,所述第二电极向所述第一基板的正投影的形状为梯形。
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