[发明专利]显示设备在审
| 申请号: | 202210119817.5 | 申请日: | 2022-02-09 | 
| 公开(公告)号: | CN114914277A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 | 
| 发明(设计)人: | 李世镐;金泰亨;李庸大;金孝妍;杨太现;李哲淳;晋昶贵 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 | 
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
本公开涉及显示设备。该显示设备包括:发光二极管,包括第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的中间层;辅助电极,与发光二极管的第一电极间隔开;堤部层,覆盖第一电极的边缘和辅助电极的边缘,并且暴露第一电极的一部分和辅助电极的一部分;以及绝缘图案层,布置在辅助电极上,并且包括与辅助电极重叠的第一开口,其中,第二电极通过绝缘图案层的第一开口接触辅助电极。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年2月10日提交的第10-2021-0019362号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请如同在本文中完全阐述一样通过引用并入本文中用于所有目的。
技术领域
本发明的实施方式总体涉及显示设备。
背景技术
显示设备通过接收关于图像的信息来显示图像。当显示设备包括具有相对大面积的显示区域时,显示质量可能由于布置在显示区域中的电极和/或穿过显示区域的一条或多条布线的电阻而劣化。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景技术,并且因此,它可以包括不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的说明性实施方式构造的设备能够通过使用绝缘图案来限制显示设备的辅助线(即,辅助电极)和发光元件的电极(即,阴极接触部分或阳极接触部分)之间的接触区域的尺寸的偏差,从而提供能够显示不具有劣化的电学特性的高质量图像的显示设备。因此,最小化或消除否则可能由激光在设置在辅助线和电极之间的中间层内产生开口而引起的接触区域的尺寸的偏差。
一个或多个实施方式提供了高质量显示设备。该目的仅为示例,并且本公开的范围不由此受限。
本发明构思的其它特征将在随后的描述中阐述,并且将部分地从描述中变得显而易见,或者可以通过对本发明构思的实践来获知。
根据实施方式,显示设备包括:发光二极管,包括第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的中间层;辅助电极,与发光二极管的第一电极间隔开;堤部层,覆盖第一电极的边缘和辅助电极的边缘,并且暴露第一电极的一部分和辅助电极的一部分;以及绝缘图案层,布置在辅助电极上,并且包括与辅助电极重叠的第一开口,其中,第二电极通过绝缘图案层的第一开口接触辅助电极。
绝缘图案层可以包括无机绝缘材料。
中间层可以布置在第一电极的上表面、辅助电极的上表面和堤部层的上表面上,并且可以包括与第一开口重叠的第二开口,并且中间层的第二开口的宽度可以大于绝缘图案层的第一开口的宽度。
在平面图中,第一开口的边缘可以位于第二开口内部。
第二电极可以接触中间层的上表面、绝缘图案层的围绕第一开口的边缘的部分的上表面以及辅助电极的上表面。
中间层可以包括发射层和至少一个功能层,并且第二开口可以穿透发射层和至少一个功能层。
堤部层可以包括与辅助电极对应的堤部开口,并且堤部开口的宽度可以大于第一开口的宽度。
第一电极和辅助电极可以位于相同层上,并且可以包括相同的材料。
显示设备还可以包括电连接到辅助电极的公共电压线,并且公共电压线可以电连接到至少一个辅助图案,至少一个辅助图案与公共电压线重叠,并且可以布置在与公共电压线不同的层上。
显示设备还可以包括在与公共电压线相交的方向上延伸的辅助线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





