[发明专利]一种用于校准外延炉的温度计的方法在审
| 申请号： | 202210107312.7 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114397022A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 牛景豪;曹岩;席勇 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00;G01J5/90;C30B33/08 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 侯丽丽;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 校准 外延 温度计 方法 | ||
1.一种用于校准外延炉的温度计的方法，其特征在于，所述方法包括：
向外延炉内通入HCl气体以对所述外延炉内的第一测试硅片进行气相刻蚀；
监测所述外延炉内的温度以作为基准温度并监测所述第一测试硅片的刻蚀量以作为基准刻蚀量；
拟合所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的线性关系；
利用所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的所述线性关系校准所述外延炉的温度计。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的所述线性关系校准所述外延炉的温度计包括：
向所述外延炉内通入HCl气体以对所述外延炉内的第二测试硅片进行气相刻蚀；
监测所述外延炉内的实际温度并监测所述第二测试硅片的实际刻蚀量；
在使所述实际刻蚀量与所述基准刻蚀量相等的条件下比较所述实际温度与所述基准温度；
通过调整所述校准外延炉的所述温度计的参数使所述实际温度与所述基准温度相等。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过调整所述校准外延炉的所述温度计的参数使所述实际温度与所述基准温度相等包括调整所述温度计的发射系数和/或线性系数。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在向外延炉内通入HCl气体以对所述外延炉内的测试硅片进行气相刻蚀之前向未放置测试硅片的所述外延炉内通入三氯硅烷气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述外延炉内的第一测试硅片进行气相刻蚀按照设定的温度梯度执行。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使所述实际刻蚀量与所述基准刻蚀量相等通过调整所述外延炉的加热功率实现。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，拟合所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的线性关系包括在同一设定温度下执行多次刻蚀实验以获取刻蚀量的平均值作为所述基准刻蚀量。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一测试硅片与所述第二测试硅片为同一批次生产的相同类型硅片。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一测试硅片和所述第二测试硅片为P型硅片或N型硅片。
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