[发明专利]透射电镜截面样品的制作方法

权利要求书

1.一种透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，至少包括如下：

步骤S1，提供一平面样品，并将所述平面样品放置在FIB样品台上，所述平面样品包括样品栅格、焊接在所述样品栅格上的半导体衬底以及形成于所述半导体衬底正面的且具有图形结构的半导体器件层；

步骤S2，在所述平面样品的所述半导体器件层的表面上沉积第一过渡保护层，并将承载有所述平面样品的样品台倾转至共聚焦状态，以使汇聚在所述平面样品上的离子束和电子束的夹角为52°；

步骤S3，在所述第一过渡保护层的表面上进行离子束标记，并在所述离子束标记的表面上沉积第二过渡保护层；

步骤S4，从所述FIB样品台上取出所述平面样品，且将所述平面样品翻转180°，以使所述平面样品的底部表面朝上，并在翻转后的平面样品的底部表面上形成第三过渡保护层；

步骤S5，对底部表面朝上的所述平面样品进行刻蚀，并将刻蚀后得到的样品作为所述透射电镜截面样品。

2.如权利要求1所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，在所述步骤S4之后且在所述步骤S5之前，所述制作方法还包括：

步骤S4.1，将所述翻转后的平面样品焊接在预设的提取针上，并刻蚀所述翻转后的平面样品，以使翻转后的平面样品与所述样品栅格分离；

步骤S4.2，将分离后的所述样品栅格翻转90°，并将所述步骤S4.1中分离出的所述翻转后的平面样品再次焊接在翻转后的样品栅格，以得到重新焊接在翻转后的样品栅格上的平面样品。

3.如权利要求2所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，在所述步骤S4.2之后，所述制作方法还包括：

步骤S4.3，将所述步骤S4.2中重新焊接在翻转后的样品栅格上的平面样品重新放置在FIB样品台上，并将承载有该平面样品的样品台倾转至共聚焦状态，以使汇聚在所述平面样品上的离子束和电子束的夹角为52°；

步骤S4.4，在所述步骤S4.3中的所述重新焊接在翻转后的样品栅格上的平面样品的表面上形成第四过渡保护层。

4.如权利要求3所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述平面样品上确定有一目标制样区域，而所述步骤S3中形成的所述离子束标记位于所述目标制样区域中；

在所述步骤S4.4中形成所述第四过渡保护层之后，所述制作方法还包括：去除步骤S4.4中的平面样品上的非目标制样区域。

5.如权利要求4所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，在去除了所述步骤S4.4中的平面样品上的非目标制样区域之后，所述制作方法还包括：

将承载保留有所述目标制样区域的平面样品的样品台倾转，以使汇聚在所述平面样品上的离子束和电子束的夹角为53°。

6.如权利要求5所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中对底部表面朝上的所述平面样品进行刻蚀，并将刻蚀后得到的样品作为所述透射电镜截面样品的步骤，包括：

在所述样品台倾转至53°的情况下，对平面样品的目标制样区域的底部表面进行刻蚀，直至到目标位置时，停止刻蚀，将刻蚀后得到的样品作为所述透射电镜截面样品。

7.如权利要求6所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，在对所述平面样品的目标制样区域的底部表面进行刻蚀，直至到目标位置且停止刻蚀之后，还可以对所述平面样品的目标制样区域的侧面进行减薄处理。

8.如权利要求7所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，在对所述平面样品的目标制样区域的形成有所述半导体器件层的正面进行减薄处理之前，所述制作方法还包括将承载有具有目标制样区域的平面样品的样品台翻转180°。

9.如权利要求3所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，所述第一过渡保护层、第二过渡保护层、第三过渡保护层以及第四过渡保护层的材料包括碳或铂中的至少一种。

10.如权利要求1所述的透射电镜截面样品的制作方法，其特征在于，所述透射电镜截面样品的厚度为30nm以下。