[发明专利]自间隙型硅片的处理工艺

权利要求书

1.一种自间隙型硅片的处理工艺，其特征在于，包括：

S100将自间隙型硅片以50℃/s-100℃/s的升温速率升温至第一预设温度T1后保温，所述第一预设温度T1为700℃-800℃，所述保温时间为5s-25s；

S200将步骤S100得到的硅片以50℃/s-100℃/s的升温速率升温至第二预设温度T2后保温，所述第二预设温度T2为1300℃-1350℃，所述保温时间为10s-60s；

S300将步骤S200得到的硅片以预设降温速率V降至室温，所述预设降温速率V为50℃/s-100℃/s；

所述步骤S100-S300在惰性气体氛围下进行。

2.根据权利要求1所述的一种自间隙型硅片的处理工艺，其特征在于，在步骤S200中，当温度达到第二预设温度T2时开始通入氮气，通入时间为5s-10s，氮气流量L为0.5SLM-5SLM。

3.根据权利要求2所述的一种自间隙型硅片的处理工艺，其特征在于，

当步骤S200的第二预设温度T2为1300℃≤T2≤1310℃、氮气流量L为4SLM≤L≤5SLM时，步骤S300的预设降温速率V为50℃/s≤V≤65℃/s；

当步骤S200的第二预设温度T2为1310℃＜T2＜1330℃、氮气流量L为2SLM≤L＜4SLM时，步骤S300的预设降温速率V为65℃/s＜V≤85℃/s；

当步骤S200的第二预设温度T2为1330℃≤T2≤1350℃、氮气流量L为0.5SLM≤L＜2SLM时，步骤S300的预设降温速率V为85℃/s＜V≤100℃/s。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种自间隙型硅片的处理工艺，其特征在于，所述步骤S100-S300惰性气体为氩气，通入流量为25SLM-100SLM。