[发明专利]半导体智慧线在审
| 申请号： | 202210104873.1 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114977088A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 卢昭正 | 申请（专利权）人： | 卢昭正 |
| 主分类号： | H02H3/087 | 分类号： | H02H3/087 |
| 代理公司： | 上海博泰明安知识产权代理事务所(普通合伙) 31470 | 代理人： | 刘凤彩 |
| 地址： | 中国台湾台北市文山区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 智慧 | ||
1.一种半导体智慧线，具有指示在设定闸源极电压下，当汲极电流值超过所述半导体智慧线时第一半导体的汲极与源极开路的功能，其特征在于，所述半导体智慧线包含：
所述半导体智慧线是设置在所述第一半导体的输出特性表的汲源极电压轴上；
所述半导体智慧线垂直切过一个或二个以上的多个闸源极电压线；以及
所述半导体智慧线与一个或二个以上的所述多个闸源极电压线交叉点横向平行交叉于所述输出特性表上的汲极电流轴。
2.根据权利要求1所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述汲极电流轴上的所述汲极电流值具有指示所述汲极电流应用限制的功能。
3.根据权利要求1所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述第一半导体是为N通道金属氧化半导体场效晶体管。
4.一种半导体智慧线，具有指示在设定闸射极电压下，当集极电流值超过所述半导体智慧线时第一半导体的集极与射极开路的功能，其特征在于，所述半导体智慧线包含：
所述半导体智慧线是设置在所述第一半导体的输出特性表的集射极电压轴上；
所述半导体智慧线垂直切过一个或二个以上的多个闸射极电压线；以及
所述半导体智慧线与一个或二个以上的所述多个闸射极电压线交叉点横向平行交叉于所述输出特性表上的集极电流轴。
5.根据权利要求4所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述集极电流轴上的所述集极电流值具有指示所述集极电流应用限制的功能。
6.根据权利要求4所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述第一半导体是为絶缘闸极双极晶体管。
7.一种半导体智慧线，具有指示在设定基极电流下，当集极电流值超过所述半导体智慧线时第一半导体的集极与射极开路的功能，其特征在于，所述半导体智慧线包含：
所述半导体智慧线是设置在所述第一半导体的输出特性表的集射极电压轴上；
所述半导体智慧线垂直切过一个或二个以上的多个基极电流线；以及
所述半导体智慧线与一个或二个以上的所述多个基极电流线交叉点横向平行交叉于所述输出特性表上的集极电流轴。
8.根据权利要求7所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述集极电流轴上的所述集极电流值具有指示所述集极电流应用限制的功能。
9.根据权利要求7所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述第一半导体是为N型晶体管。
10.根据权利要求1、4或7任一项所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述半导体智慧线垂直放置在所述汲源极电压轴上或所述集射极电压轴上的电压值，随其所述第一半导体的选用及需求而定，而不予自限。
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