[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

在硅片的正面形成绝缘薄膜，再在所述硅片的背面形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层的表面沉积非晶硅层并进行磷掺杂，再将掺磷的所述非晶硅层转变成掺磷多晶硅层，其中，所述掺磷多晶硅层绕镀于所述隧穿氧化层并形成绕镀区域；以及

制作电极，其中，在所述绝缘薄膜的表面制作正电极时，使所述正电极与所述绕镀区域间隔分布。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制作电极的步骤中，采用预设网版在所述绝缘薄膜的表面制作所述正电极；

其中，所述预设网版的栅线印刷边缘与所述绝缘薄膜的边缘之间的间距为3～4mm，以使所述正电极与所述绕镀区域间隔分布。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘薄膜包括层叠分布的氮化硅层和氮氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在硅片的正面形成绝缘薄膜的步骤包括：

在400～500℃的温度条件下，先通入硅烷和氨气沉积所述氮化硅层，再通入硅烷、氨气和笑气沉积所述氮氧化硅层。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘薄膜的厚度为100～110nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在硅片的正面形成绝缘薄膜的步骤之前，还包括：在所述硅片的正面形成氧化铝膜。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将掺磷的所述非晶硅层转变成掺磷多晶硅层的步骤之后，还包括以下步骤(a)和/或(b)：

(a)对所述掺磷多晶硅层的表面进行酸处理，以去除掺磷的所述非晶硅层在转变过程中产生于所述掺磷多晶硅层的表面的氧化层；

(b)在所述掺磷多晶硅层的表面形成氮化硅膜。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化层的表面沉积非晶硅层并进行磷掺杂的步骤中，采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积得到所述非晶硅层，并用原位掺杂的方式对所述非晶硅层进行磷掺杂。

9.一种太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的负电极、掺磷多晶硅层、隧穿氧化层、硅片、绝缘薄膜以及正电极；

其中，所述掺磷多晶硅层具有附着于所述绝缘薄膜的绕镀区域，所述正电极与所述绕镀区域间隔分布。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅片和所述绝缘薄膜之间还设有氧化铝膜；

和/或，所述负电极和所述掺磷多晶硅层之间还设有氮化硅膜。