[发明专利]具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法

权利要求书

1.一种具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

初次塑封填充框架，使得框架内的每个焊盘的两端面对应突出于框架的两端面；

在电压输入电连接焊盘和电压输出电连接焊盘之间加工出连接两者的保险丝；

在接地焊盘顶面焊接贴装防静电芯片；

二次塑封填充框架形成防静电芯片和电压输出电连接焊盘的电连接加工层，并在电连接加工层上电连接防静电芯片和电压输出电连接焊盘；

再次塑封填充框架形成完整的ESD器件。

2.如权利要求1所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述“在电压输入电连接焊盘和电压输出电连接焊盘之间加工出连接两者的保险丝”步骤，具体包括以下步骤：

在初次塑封框架的顶面进行整面铜沉积处理形成铜沉积层；

在铜沉积层上干膜蚀刻加工出连接电压输入电连接焊盘和电压输出电连接焊盘的保险丝。

3.如权利要求2所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述保险丝的两端分别过赢连接于所述电压输入电连接焊盘和所述电压输出电连接焊盘的上方。

4.如权利要求1所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述“在电压输入电连接焊盘和电压输出电连接焊盘之间加工出连接两者的保险丝”步骤，具体包括以下步骤：

在电压输入电连接焊盘和电压输出电连接焊盘之间的初次塑封框架顶面进行局部等离子表面处理，加工出凹槽；

对凹槽进行局部沉铜处理形成连接电压输入电连接焊盘和电压输出电连接焊盘之间的保险丝。

5.如权利要求4所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述凹槽的深度为2μm-5μm，所述凹槽的宽度为10μm-20μm。

6.如权利要求4所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述局部沉铜处理得到的铜材料沉积厚度范围为1μm-3μm，宽度为10μm-20μm。

7.如权利要求1所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述“二次塑封填充框架形成防静电芯片和电压输出电连接焊盘的电连接加工层，并在电连接加工层上电连接防静电芯片和电压输出电连接焊盘”步骤，具体包括以下步骤：

二次注塑塑封料，直至塑封料超出防静电芯片顶面形成电连接加工层；

在防静电芯片和电压输出电连接焊盘上方的电连接加工层上分别加工出第一盲孔和第二盲孔；

在第一盲孔和第二盲孔之间电镀连接电连接线。

8.如权利要求7所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述第一盲孔和所述第二盲孔均为扩口盲孔。

9.如权利要求8所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述扩口盲孔的上下孔径比大于0.65。

10.如权利要求8所述的具备过压和过电保护功能的ESD器件加工方法，其特征在于，所述扩口盲孔的上径和孔深比范围为0.6-1。