[发明专利]电介质组合物、电子部件及层叠电子部件

权利要求书

1.一种电介质组合物，其中，

所述电介质组合物包含主相粒子和偏析粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABO₃表示的钙钛矿型晶体结构的主成分，

所述主相粒子的至少一部分具有核壳结构，

所述电介质组合物含有RA、RB、M及Si，

A为选自Ba、Sr及Ca中的至少1种，

B为选自Ti、Zr及Hf中的至少1种，

RA为选自Eu、Gd、Tb及Dy中的至少1种，

RB为选自Y、Ho及Yb中的至少1种，

M为选自Mg、Mn、V及Cr中的至少1种，

在所述电介质组合物中，将RA相对于所述主成分的含量以RA₂O₃换算设为C_RA摩尔%，将RB相对于所述主成分的含量以RB₂O₃换算设为C_RB摩尔%，

将所述核壳结构的壳部中的RA的平均含量设为S_RA摩尔%、将RB的平均含量设为S_RB摩尔%的情况下，

S_RA/S_RB＞C_RA/C_RB，

在将所述偏析粒子中主要含有RA、RB、Si、Ba及Ti的特定偏析粒子中的RA的平均含量设为α摩尔%，将RB的平均含量设为β摩尔%的情况下，

α/β＜C_RA/C_RB，

“主要含有RA、RB、Si、Ba及Ti”是RA及RB的合计含量为3.0摩尔%以上、Si的含量为1.0摩尔%以上、Ba的含量比Ti的含量多、且RA、RB、Si、Ba及Ti的合计含量相对于O以外的元素的合计含量为80摩尔%以上，

在所述电介质组合物的截面中，所述特定偏析粒子的合计面积相对于所述偏析粒子的合计面积的比例为80%以上。

2.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，

C_RA为0.60摩尔%以上且2.40摩尔%以下，

C_RB为0.30摩尔%以上且1.20摩尔%以下，

M相对于所述主成分的含量以MO换算为0.20摩尔%以上且1.00摩尔%以下，

Si相对于所述主成分的含量以SiO₂换算为0.60摩尔%以上且1.80摩尔%以下。

3.一种电子部件，其中，

具有权利要求1或2所述的电介质组合物。

4.根据权利要求3所述的电子部件，其中，

所述电子部件为层叠电子部件，

所述层叠电子部件通过交替层叠由权利要求1或2所述的电介质组合物构成的电介质层和电极层而成。