[发明专利]芯片温度参数校准方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种芯片温度参数校准方法，其特征在于，所述方法包括：

调整芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的内部温度；

在所述内部温度达到热平衡时，获取所述芯片输出的温度电信号和对应的加热功率；

根据所述温度电信号和所述加热功率确定所述芯片的温度参数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述芯片上集成有加热器件；

所述调整芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的内部温度，包括：

调整所述加热器件对所述芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的功耗；

根据所述功耗和预设功耗温度关系式确定所述芯片的内部温度。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述调整所述加热器件对所述芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的功耗，包括：

获取所述芯片的工作功率；

通过功率控制器调节加热电压和加热电流以调整所述加热器件对所述芯片的加热功率；

根据所述加热功率、所述工作功率和预设功耗关系式确定所述芯片的功耗；

其中，所述预设功耗关系式为：

P＝Ivdd*Uvdd+Ihot*Uhot

式中，P为功耗；Ivdd为芯片的工作电流；Uvdd为芯片的工作电压；Ihot为加热电流；Uhot为加热电压。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述功耗和预设功耗温度关系式确定所述芯片的内部温度，包括：

获取所述芯片所处环境的环境温度；

根据所述环境温度和所述功耗通过预设功耗温度关系式确定所述芯片的内部温度；

其中，所述预设功耗温度关系式为：

Tc＝Tj+P*(Rjc+rcs)

式中，Tc为芯片的内部温度；Tj为芯片所处环境的环境温度；P为功耗；Rjc为芯片内部到封装管壳的热阻；Rcs为封装管壳到散热基板的热阻。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯片上集成有温度传感器，所述温度传感器与所述加热器件在所述芯片上相邻设置；

所述获取所述芯片所处环境的环境温度，包括：

通过所述温度传感器获取所述芯片所处环境的环境温度。

6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述内部温度达到热平衡时，获取所述芯片输出的温度电信号和对应的加热功率，包括：

在对所述芯片加热的过程中，实时获取所述芯片的内部温度；

遍历预设校准温度集，并将遍历到的当前预设校准温度与所述内部温度进行对比；

在所述内部温度等于所述当前预设校准温度时，判定所述芯片达到热平衡；

在所述芯片达到热平衡时，获取所述芯片输出的温度电信号和对应的加热功率；

在遍历结束时，获得所述芯片输出的若干温度电信号和对应的若干加热功率。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述温度电信号和所述加热功率确定所述芯片的温度参数，包括：

根据各加热功率确定所述芯片对应的功耗；

根据各功耗和对应的温度电信号确定所述芯片的温度参数。

8.一种芯片温度参数校准装置，其特征在于，所述装置包括：

调整模块，用于调整芯片的加热功率，并根据所述加热功率确定所述芯片的内部温度；

获取模块，用于在所述内部温度达到热平衡时，获取所述芯片输出的温度电信号和对应的加热功率；

确定模块，用于根据所述温度电信号和所述加热功率确定所述芯片的温度参数。

9.一种芯片温度参数校准设备，其特征在于，所述设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的芯片温度参数校准程序，所述芯片温度参数校准程序配置为实现如权利要求1至7中任一项所述的芯片温度参数校准方法的步骤。

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有芯片温度参数校准程序，所述芯片温度参数校准程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的芯片温度参数校准方法的步骤。