[发明专利]保护功函数金属层的方法在审
申请号: | 202210097271.8 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN114481068A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 王诗昊;王莎莎;席晓阳 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;H01L21/3205 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 函数 金属 方法 | ||
1.一种保护功函数金属层的方法,其特征在于,至少包括:
步骤一、提供衬底和物理气相沉积机台,所述衬底上形成有U型槽,所述U型槽内壁形成有功函数金属层;
步骤二、将所述物理气相沉积机台的偏压电源设置为零,之后利用所述物理气相沉积机台在所述功函数金属层上淀积第一保护层;
步骤三、提供偏置电压,用于增加所述物理气相沉积机台形成的溅射原子的能量,利用所述物理气相沉积机台在所述偏置电压下在所述第一保护层上溅射形成第二保护层。
2.根据权利要求1所述的保护功函数金属层的方法,其特征在于:所述方法还包括步骤四、在所述U型槽内填充覆盖所述第二保护层的金属,形成栅极。
3.根据权利要求1所述的保护功函数金属层的方法,其特征在于:步骤一中的所述功函数金属层的材料为铝化钛。
4.根据权利要求1所述的保护功函数金属层的方法,其特征在于:步骤二中的所述第一保护层的材料为氮化钛。
5.根据权利要求4所述的保护功函数金属层的方法,其特征在于:步骤二中的所述第一保护层的形成方法为:提供钛靶材,并向所述物理气相沉积机台中通入氮气,使得所述钛靶材的表面形成氮化钛,利用溅射离子轰击所述钛靶材,使得被溅射的氮化钛原子淀积在所述功函数金属层上形成所述第一保护层。
6.根据权利要求1所述的保护功函数金属层的方法,其特征在于:步骤三中的所述第二保护层的材料为氮化钛。
7.根据权利要求6所述的保护功函数金属层的方法,其特征在于:步骤三中的所述第二保护层的形成方法为:提供钛靶材,并向所述物理气相沉积机台中通入氮气,使得所述钛靶材的表面形成氮化钛,利用溅射离子轰击所述钛靶材,使得被溅射的氮化钛原子经过所述偏置电压产生的电场,淀积在所述功函数金属层上形成所述第二保护层。
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