[发明专利]一种用于超低频水下声学信号检测的声学测量单元及装置在审
| 申请号: | 202210088706.2 | 申请日: | 2022-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN114112010A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
| 发明(设计)人: | 杨华;孙斐;陈杰;张浩 | 申请(专利权)人: | 青岛国数信息科技有限公司 |
| 主分类号: | G01H11/08 | 分类号: | G01H11/08;G01S7/521 |
| 代理公司: | 青岛锦佳专利代理事务所(普通合伙) 37283 | 代理人: | 朱玉建 |
| 地址: | 266000 山东省青岛市即*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 低频 水下 声学 信号 检测 测量 单元 装置 | ||
1.一种用于超低频水下声学信号检测的声学测量单元,其特征在于,包括由下向上依次设置的SOI基座、下电极层、压电层以及上电极层;
其中,SOI基座、下电极层、压电层以及上电极层均为圆形;
下电极层以及上电极层均采用Mo电极,压电层采用AIN;
所述SOI基座包括由下向上依次设置的下硅层、二氧化硅层以及上硅层;所述SOI基座的底部设置空腔,该空腔在上下方向上贯穿整个所述下硅层;
在由所述空腔位置向上正投影到上电极层的区域范围内形成有多个悬臂梁;其中,各个所述悬臂梁均为大小相等的扇形结构,且沿着同一个圆周方向顺序排布;
任意相邻两个悬臂梁之间通过一条刻蚀沟槽隔开,且所有悬臂梁均与上电极层连接;
其中,各个刻蚀沟槽均是利用刻蚀工艺由下向上依次刻蚀所述二氧化硅层、上硅层、下电极层以及压电层所形成的;
各个悬臂梁的组成结构相同,且均是由处于该悬臂梁所在的两条刻蚀沟槽之间,且由下而上依次布置的二氧化硅层、上硅层、下电极层以及压电层的扇形区域组成。
2.根据权利要求1所述的用于超低频水下声学信号检测的声学测量单元,其特征在于,
所述悬臂梁以及刻蚀沟槽的数量均有四个,每个悬臂梁对应的圆心角为90度。
3.根据权利要求1所述的用于超低频水下声学信号检测的声学测量单元,其特征在于,
所述悬臂梁以及刻蚀沟槽的数量均有六个,每个悬臂梁对应的圆心角为60度。
4.根据权利要求1所述的用于超低频水下声学信号检测的声学测量单元,其特征在于,
所述悬臂梁以及刻蚀沟槽的数量均有八个,每个悬臂梁对应的圆心角为45度。
5.一种用于超低频水下声学信号检测的声学测量芯片,包括声学测量单元、正电极输出端以及负电极输出端;声学测量单元有多个且采用阵列式排布;
其特征在于,所述声学测量单元采用:
如权利要求1至4任一项所述的用于超低频水下声学信号检测的声学测量单元;
各个声学测量单元的正电极层相连,且共同连接到所述正电极输出端上;
各个声学测量单元的负电极层相连,且共同连接到所述负电极输出端上。
6.一种用于超低频水下声学信号检测的声学测量装置,包括声学测量芯片以及运算放大电路;声学测量芯片的正电极输出端和负电极输出端分别连接到运算放大电路上;
其特征在于,所述声学测量芯片采用:
如上述权利要求5所述的用于超低频水下声学信号检测的声学测量芯片。
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