[发明专利]CsPbBr3

权利要求书

1.CsPbBr₃:ZnO QDs基MSM结构探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、清洗衬底：将衬底切割成预设形状和大小，清洗并吹干后待用；

S2、制备电极：在步骤S1处理后的衬底上制备多对叉指电极；

S3、制备CsPbBr₃钙钛矿前体溶液：取CsBr与PbBr₂粉末混合后，加入到二甲基亚砜溶液中，配置成CsPbBr₃钙钛矿前体溶液；

S4、制备ZnO QDs溶液：取二水合乙酸锌溶于无水乙醇中，待二水合乙酸锌溶解后加入氢氧化钾乙醇溶液并搅拌后倒出，再加入过量正己烷，静置50～60分钟，离心分离出沉淀物ZnO粉末，将该ZnO粉末溶解在无水乙醇中，配置成ZnO QDs溶液；

S5、制备CsPbBr₃:ZnO QDs混合溶液：将步骤S3和步骤S4获得的CsPbBr₃钙钛矿溶液以及ZnO QDs溶液按体积比100：5～10混合，配置成CsPbBr₃:ZnO QDs混合溶液；

S6、制备光电探测器：对步骤S2获得的具有叉指电极的衬底进行紫外臭氧处理，处理后，将步骤S5获得的CsPbBr₃:ZnO QDs混合溶液旋涂在衬底上并退火处理，获得CsPbBr₃:ZnOQDs基MSM结构的光电探测器。

2.根据权利要求1所述的CsPbBr₃:ZnO QDs基MSM结构探测器的制备方法，其特征在于，所述叉指电极为对称叉指电极或非对称叉指电极。

3.根据权利要求1所述的CsPbBr₃:ZnO QDs基MSM结构探测器的制备方法，其特征在于，所述衬底为高透双抛蓝宝石衬底。

4.根据权利要求3所述的CsPbBr₃:ZnO QDs基MSM结构探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为，

S11、将高透双抛蓝宝石衬底切割成1.5cm×1.5cm大小的正方形；

S12、将切割好的蓝宝石衬底依次使用丙酮、酒精、去离子水各超声清洗15min；

S13、采用高纯氮气将清洗好的衬底吹干。

5.根据权利要求2所述的CsPbBr₃:ZnO QDs基MSM结构探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为，

S21、在处理好后的衬底上旋涂一层紫外光刻胶，然后将旋涂有紫外光刻胶的衬底置于100℃热盘上退火处理1min，将紫外光刻胶烘干；

S22、将制备好叉指电极图形的光刻板经紫外灯光曝光10s以后转移到旋涂有紫外光刻胶的衬底上，所述叉指电极为12对；

S23、通过湿法剥离技术将曝光后的衬底浸泡在显影液中显影6s，获取所需要叉指电极图形，再迅速转移到去离子水中以清洗掉残留显影液，然后将处理好的衬底用高纯氮气吹干后待用；

S24、将光刻好的衬底放置在离子溅射仪中，溅射上一层50nm厚的Au电极；

S24、将溅射后的衬底浸泡在装有丙酮的烧杯中，超声清洗后形成所述叉指电极。

6.根据权利要求2所述的CsPbBr₃:ZnO QDs基MSM结构探测器的制备方法，其特征在于，所述对称叉指电极的指宽均为5μm，两指宽之间的道宽为10μm，长度为500μm。

7.根据权利要求2所述的CsPbBr₃:ZnO QDs基MSM结构探测器的制备方法，其特征在于，所述非对称叉指电极包括成对设置的第一电极和第二电极，第一电极的指宽为5μm，第二电极的指宽为50μm，第一电极与第二电极之间的道宽为10μm，第一电极与第二电极的长度为500μm。