[发明专利]一种半透明晶圆及其曝光过程加工方法在审
| 申请号： | 202210086229.6 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114545740A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 兰则超;杨思川;苗湘;黄小东 | 申请（专利权）人： | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 郑雷;庄博强 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半透明 及其 曝光 过程 加工 方法 | ||
1.一种半透明晶圆曝光过程加工方法，其特征在于：包括在所述晶圆底部镀一层防反射薄膜(2)。
2.根据权利要求1所述的半透明晶圆曝光过程加工方法，其特征在于：所述防反射薄膜(2)不与特定化学药品发生化学反应，特定化学药品为丙酮、无水乙醇、四甲基氢氧化铵水溶液和光刻胶(3)。
3.根据权利要求2所述的半透明晶圆曝光过程加工方法，其特征在于：所述防反射薄膜(2)由厚度为nm级时呈现灰黑色的金属材料制成。
4.根据权利要求3所述的半透明晶圆曝光过程加工方法，其特征在于：所述金属材料为铬。
5.根据权利要求4所述的半透明晶圆曝光过程加工方法，其特征在于：所述防反射薄膜(2)的厚度为5-8nm。
6.根据权利要求5所述的半透明晶圆曝光过程加工方法，其特征在于：所述防反射薄膜(2)通过电子束蒸镀技术或溅射镀膜技术制成。
7.一种半透明晶圆，其特征在于：包括晶圆本体(1)，所述晶圆本体(1)的底部镀有一层防反射薄膜(2)。
8.根据权利要求7所述的半透明晶圆，其特征在于：所述防反射薄膜(2)不与特定化学药品发生化学反应，特定化学药品为丙酮、无水乙醇、四甲基氢氧化铵水溶液和光刻胶(3)。
9.根据权利要求8所述的半透明晶圆，其特征在于：所述防反射薄膜(2)由金属铬制成。
10.根据权利要求9所述的半透明晶圆，其特征在于：所述防反射薄膜(2)的厚度为5-8nm。
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