[发明专利]磁性斯格明子的磁场驱动方法在审

专利信息
申请号: 202210085599.8 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114496012A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 邢祥军 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 黎扬鹏
地址: 510006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁性 明子 磁场 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述磁性斯格明子的磁场驱动方法包括:

提供微纳磁体;

向所述微纳磁体注入磁畴壁和斯格明子;

向所述微纳磁体施加均匀磁场;所述均匀磁场具有垂直于所述微纳磁体表面的分量;

通过所述均匀磁场驱动所述斯格明子与所述磁畴壁一起运动。

2.根据权利要求1所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述微纳磁体内包含Dzyaloshinskii-Moriya相互作用。

3.根据权利要求2所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述微纳磁体为界面诱导性手型磁体或本征手性磁体。

4.根据权利要求3所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述微纳磁体为界面诱导性手型磁体,所述微纳磁体由铁磁材料层和重金属层叠合而成。

5.根据权利要求3所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述微纳磁体为本征手性磁体,所述微纳磁体为B20型晶体结构。

6.根据权利要求1-5任一项所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述磁畴壁的数量为一个,所述斯格明子的数量为一个或多个。

7.根据权利要求6所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述向所述微纳磁体注入磁畴壁和斯格明子,包括:

设定所述斯格明子的目标运动速度;

根据所述目标运动速度,确定所述斯格明子的目标数量;

向所述微纳磁体注入所述目标数量的斯格明子。

8.根据权利要求7所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述向所述微纳磁体施加均匀磁场,包括:

根据所述目标运动速度,确定所述均匀磁场的目标强度;

产生具有所述目标强度均匀磁场;

使所述均匀磁场的方向垂直于所述微纳磁体的表面。

9.根据权利要求8所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于:

所述根据所述目标运动速度,确定所述斯格明子的目标数量,包括:

设定所述斯格明子的目标数量与所述目标运动速度负相关;

所述根据所述目标运动速度,确定所述均匀磁场的目标强度,包括:

获取LLG方程在所述微纳磁体中的旋磁因子和阻尼系数;

获取所述磁畴壁的厚度;

根据所述目标运动速度、所述旋磁因子、所述阻尼系数、所述目标数量以及所述磁畴壁的厚度,计算所述均匀磁场的目标强度。

10.根据权利要求9所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述计算所述均匀磁场的目标强度所使用的公式为其中Η为所述目标强度,v为所述目标运动速度,γ为所述旋磁因子,α为所述阻尼系数,Νs为所述目标数量,Δ为所述磁畴壁的厚度。

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