[发明专利]磁性斯格明子的磁场驱动方法在审
申请号: | 202210085599.8 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114496012A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 邢祥军 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黎扬鹏 |
地址: | 510006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 明子 磁场 驱动 方法 | ||
1.一种磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述磁性斯格明子的磁场驱动方法包括:
提供微纳磁体;
向所述微纳磁体注入磁畴壁和斯格明子;
向所述微纳磁体施加均匀磁场;所述均匀磁场具有垂直于所述微纳磁体表面的分量;
通过所述均匀磁场驱动所述斯格明子与所述磁畴壁一起运动。
2.根据权利要求1所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述微纳磁体内包含Dzyaloshinskii-Moriya相互作用。
3.根据权利要求2所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述微纳磁体为界面诱导性手型磁体或本征手性磁体。
4.根据权利要求3所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述微纳磁体为界面诱导性手型磁体,所述微纳磁体由铁磁材料层和重金属层叠合而成。
5.根据权利要求3所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述微纳磁体为本征手性磁体,所述微纳磁体为B20型晶体结构。
6.根据权利要求1-5任一项所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述磁畴壁的数量为一个,所述斯格明子的数量为一个或多个。
7.根据权利要求6所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述向所述微纳磁体注入磁畴壁和斯格明子,包括:
设定所述斯格明子的目标运动速度;
根据所述目标运动速度,确定所述斯格明子的目标数量;
向所述微纳磁体注入所述目标数量的斯格明子。
8.根据权利要求7所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述向所述微纳磁体施加均匀磁场,包括:
根据所述目标运动速度,确定所述均匀磁场的目标强度;
产生具有所述目标强度均匀磁场;
使所述均匀磁场的方向垂直于所述微纳磁体的表面。
9.根据权利要求8所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于:
所述根据所述目标运动速度,确定所述斯格明子的目标数量,包括:
设定所述斯格明子的目标数量与所述目标运动速度负相关;
所述根据所述目标运动速度,确定所述均匀磁场的目标强度,包括:
获取LLG方程在所述微纳磁体中的旋磁因子和阻尼系数;
获取所述磁畴壁的厚度;
根据所述目标运动速度、所述旋磁因子、所述阻尼系数、所述目标数量以及所述磁畴壁的厚度,计算所述均匀磁场的目标强度。
10.根据权利要求9所述的磁性斯格明子的磁场驱动方法,其特征在于,所述计算所述均匀磁场的目标强度所使用的公式为其中Η为所述目标强度,v为所述目标运动速度,γ为所述旋磁因子,α为所述阻尼系数,Νs为所述目标数量,Δ为所述磁畴壁的厚度。
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